[参考译文] TPS54561：自举电容器选型

您好：

0.1uF 是一个值、用于确保引导电容器上的电压纹波更小。  当高侧打开时，驱动器电流将从该电容器汲取。  这不是一个计算结果，但纹波电压是 eqaul 到 Qgs/Cboot (Qgs 是内部 MOSFET 栅极电荷 ，Cboot 是引导电容器值)，从这个格式中，较大的 Cboot 将使纹波更小。

谢谢

Daniel、您好

TPS54561电路示例中使用的0.1uF 自举电容器可能不是计算值、但这并不意味着无法计算自举电容器的电容。 (例如 AN486的方程式2：在电力输送系统中使用 ISODrivers 的高侧自举设计。)

我想知道、对于 TPS54561电路示例(数据表图8-1)。 5V 输出 TPS54561设计示例)、如何计算实际最小自举电容器以及计算公式？

谢谢。

你(们)好

格式仍为  Qgs/Cboot，Cboot 电压的目标纹波应小于 BOOT 电容器的 Vdc 的5%。  但我们不知道 Qg 值、因为它是内部 MOSFET。  因此、我们建议您使用0.1uF 电容作为引导电容值。  

谢谢

你(们)好，Danile

是的，Cboot=Qgs/(5%*Vboot)可用于计算引导电容。

但是、我想知道 Vboot 和内部 Qgs。。。

你(们)好

Vboot 为5V、但我们没有内部 FET Qg 数据。  

谢谢

你(们)好

如果没有内部 MOSFET Qg 数据、我们如何知道0.1uf 引导电容在这里很好(图8-1。 5V 输出 TPS54561设计示例)？

您好、Kingson：

器件验证将测试自举电压。 在除压降条件外的所有工作条件下、电压均保持在5V。

你好、Daniel

从哪里可以找到 tps54561数据表中的 Vboot=5V？

你(们)好

我们可以检查 EVM 引导版本、稍后再答复。

谢谢

你好，洪嘉

非常感谢。

但是、当 Qg=3nC 且 Vboot=5.8V 时、最小引导电容为3nC/(5%*5.8V)=10.345nF。

 图8-1中的0.1uF (100nF)。 5V 输出 TPS54561设计示例有点太大、我对吗？

你好、Daniel

好的、非常感谢。

你好、Daniel

如下图所示、自举电容器通常应包含两个过程：充电和放电、即自举电容器需要 刷新电荷。 自举电容器电压应与图中的 Vboot 类似。

但是、如果我们使用过大的电容器值、自举电容器上的电压会趋向于直流(看起来像 VCB (av))、并且电容器上的电荷不再刷新。

会发生什么情况、它是否会影响 SMPS 降压转换器的正常运行？

你(们)好

如果由于直流电压过高而未发生电荷、则 在下一个导通时间内仍将从引导电容器放电。 它将持续发生、从而使引导电容器的直流电压下降、直到电荷发生。

改变另一种方式：

10.345nF 或0.1uF 足以应对"图8-1。 5V 输出 TPS54561设计示例"。  

但是、如果我们使用10uF 或47uF 启动电容器、这是否会导致任何问题？

你(们)好  

我们不建议使用这个高值引导电容器， 您能告诉我为什么要使用这个值电容器，用于什么目的吗？

你(们)好

只是想知道、如果我们使用过大的电容、 会发生什么情况、它是否会影响 SMPS 降压转换器的正常运行？