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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173473/csd23285f5-device-recommdation
我们是否有与 RE1C001ZP，采用相同封装的器件
规格与 RE1C001ZO 类似。
您会给我一些器件建议吗？
Shawn、您好！
感谢您的查询。 RE1C001ZP 是一款采用 SC-89封装的-20V P 通道 FET。 遗憾的是、TI 未在该封装中制造任何 FET。 我们最推荐的器件是采用 F3 FemtoFET 封装的 CSD25480F3 -20V PFET、不兼容 P2P 或封装。 TI 器件的尺寸为0.47mm2、尺寸缩小了4倍以上、最大电阻为159m Ω、而 COMP 为3 Ω、因此电阻低了近20倍 TI 的泄漏规格低得多、IDSS 低10倍、ISS 低200倍、但仍具有栅极 ESD 保护。 TI 的电阻额定值为1.8Vgs、而不是1.2Vgs。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
