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[参考译文] UCC29910AEVM-730：UCC29910AEVM-730、外部偏置电源

admin
Guru**** 2511985 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC29910A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/784441/ucc29910aevm-730-ucc29910aevm-730-external-bias-supply

器件型号：UCC29910AEVM-730

我想使用具有外部偏置电源的 UCC29910A、因此不需要耗尽模式 FET 和 BSCTL 信号。 我尝试禁用电路的该部分、但控制器不会开始切换。  我移除了 D2、工作正常、但当我移除 R9进入耗尽模式 FET Q1时、控制器不会开始开关。

BSNS 和 LSNS 处于建议的工作条件下、并且在施加线路电压之前施加我的外部偏置。因此、我在数据表中没有看到任何东西来解释这种行为。  如果对此有任何想法、我们将不胜感激。

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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，Donovan

    第3页底部的注(4)说明了启动条件
    请检查：
    存在 VDD
    VLINESNS 从0增加到258mV 到920mV 之间的值
    VBIASNS 引脚的电压范围为907mV 至1025mV
    VBULK = 0V (正常启动条件)

    该序列将在 EVM 上正常发生、如提供的那样。 我建议您更换已卸下的组件、并花一些时间了解启动过程的工作原理。 控制器的设计假设初始偏置能量来自 DMODE MOSFET -如果您不想使用此部件、则需要找到其他方法来重新创建启动条件-启动时会出现600mV 的超时 启动过程。 DMODE MOSFET 用作更有损耗的电阻器启动的替代方案-我认为我们没有在该器件上试验过电阻启动、但这可能是可行的。

    从线路输入到10VB 节点(U1的引脚4)的高阻值电阻器可能会为节点充电、从而使 BSNS 引脚在600ms 内达到 VBIASNS 阈值。

    请告诉我您的使用方式。
    此致
    Colin
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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    这是我忽略的信息。 谢谢！ 由于我需要在这个600ms 的时间内提供高达0.907V<VBIASNs<1.025V 的信号、然后下降至0.463V<VBIASNs<0.907V 的信号、我认为给定的电路将是最快的解决方案、即使我希望我可以消除它。
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    TI__Guru**** 2511985 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，多诺万

    我将关闭此主题-如果您有任何其他问题、请将其发布在 e2e 上。

    此致
    Colin