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您好！
ISO 5852S 的数据表中规定、为了提高 IGBT 栅极驱动电流能力、可以使用外部晶体管(在快照下方供您参考)。
现在、我想使用互补 MOSFET 代替 BJT、这是可行的吗？
如果是、请向我推荐用于电路连接的 MOSFET 类型。
如果没有，则不使用的原因是什么。
大家好、Malleswararao、
不幸的是、您的图片未发布。 您可以再次发布吗？
此外、 您还看到过 UCC21750吗？ 您可能会感兴趣-它可以帮助您节省构建缓冲区的外部组件。
一旦我们了解了情况、我们可以进一步评论。
尊敬的 Don Dapkus：
我已经介绍过 UCC21750数据表、似乎所有数据都集成在一个芯片中。 但我已经使用 ISO5852S 设计了 PCB。
我已经分享了 ISO5852S 数据表第31页详细信息的屏幕截图。
在我的设计中、我需要至少24A 的峰值栅极电流来驱动 IGBT。
因此、在数据表第31页中、它如下所述
'为了增加 IGBT 栅极驱动电流、需要使用同相电流缓冲器(如所示的 NPN/PNP 缓冲器) 图57)。 反相类型与去饱和故障保护电路和不兼容 必须避免。 MJD44H11/MJD45H11对适用于高达8A 的电流、即 D44VH10/D45VH10 配对、最大电流为15A。"
因此、我可以不使用 BJT、而是使用 MOSFET 在所用 BJT 的相同空间内获得更大的峰值电流。
请向我推荐采用 MOSFET 的电路、而不是互补 BJT
谢谢
Malleswararao。
您好、Malleswararao、
感谢您发帖。
我们建议使用 BJT 缓冲器来进行数据表中包含的推理。 BJT 输出与输入的输出相同。 基于 FET 的缓冲器具有反相输出。 这是因为、基于 FET 的缓冲器的实现需要高侧的 PMOS (VCC2的源极)和低侧的 NMOS (VEE2的源极)来实现轨到轨输出。 因此、ISO5852的集成特性及其逻辑在 DESAT 检测、米勒钳位和 RSTb 方面将不正确。
您的 IGBT 的参数是什么(栅极电荷、内部栅极电阻)？ 您的驱动电压是多少？您的栅极电阻是多少？
如果您确实考虑从 ISO5852迁移到 UCC21750、则布局变化极小。 只能以不同于 ISO5852s 驱动器的方式布线另外2个引脚 AIN 和 APWM。
此致、
Audrey
