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[参考译文] LM5069:MOSFET 在热短路测试中损坏、栅极源极漏极短接在一起。

Guru**** 2538960 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/829068/lm5069-mosfet-get-damaged-in-hot-short-test-gate-source-drain-are-short-together

器件型号:LM5069

这是我的 sch、我已经更改了 PCB 板上的设计。 组件的首选项在制表单中。

我希望 LM5069可以是一个开关、能够通过电容器(1500uF)来承载30A 和50A 负载。

但 MOSFET 在热短路测试中会损坏、您能帮我吗?

e2e.ti.com/.../modified_08FF_1500uf_09FF14201420142014205F00_30A_2D00_LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsxe2e.ti.com/.../modified_142014201420142008FF_1500uf_09FF5F00_50A_2D00_LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx

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    您好!

    我将仔细研究、明天再回来

    此致

    Rakesh

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    热短路发生故障时、存在 Vgs 和 Vds 波形。

    黄色表示 Vgs、蓝色表示 Vds。

    我认为这有助于解决这个问题。

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    抱歉、我在楼上做了一些错误、该波形是发生热短路时的 Vtimer。

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    您好、Teddy、

     该设计表通过了具有6个 FET 的 SOA、但原理图中仅显示了两个热插拔 FET。  您并联使用了多少个热插拔 FET?

    输入端是否有 TVS 二极管? 如果是-请与我分享器件型号。

    您能否提供以下测试波形。 使用4通道示波器并在需要时使用电流探头。

    • 执行热短路、电源短路和过载测试、为每个测试捕捉以下波形
    • 测量 Vin、Vout、GATE、计时器
    • 测量 输入电压、输出电压、栅极、计时器、输入电流

     

    此致、

    Rakesh

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    您好、Rakesh、

     该设计表通过了具有6个 FET 的 SOA、但原理图中仅显示了两个热插拔 FET。  您并联使用了多少个热插拔 FET?

     答案:50A、背靠背6个 FET;30A、背靠背4个 FET。

    输入端是否有 TVS 二极管? 如果是-请与我分享器件型号。

    答案:TVS 器件型号为 SMDJ60CA。

    您能否提供以下测试波形。 使用4通道示波器并在需要时使用电流探头。

    • 执行热短路、电源短路和过载测试、为每个测试捕捉以下波形

    • 测量 Vin、Vout、GATE、计时器
    • 测量 输入电压、输出电压、栅极、计时器、输入电流

    答案:没有电流探头、当我触摸 VG 进入示波器时、VG 向下到21V、VS 向下到17V。我不知道原因、所以我没有捕获 VG 的波形。

    这是电源进入 SHORT。1计时器  3.Vin 4.Vout 时的波形

    这里是10R 负载下的过载波形。(Vout 为17V、Vgage 为21V) 1计时器  2 Vgate 3.Vin 4.Vout

    这里是短接的波形。(Vout 为17V、Vgage 为21V) 1计时器  2 Vgate (未连接到示波器) 3.Vin 4.Vout

    热短路测试、短路测试和过载测试 在昨晚很好地完成。但今天早上、我发现 MOSFET 在没有电的情况下再次损坏。 G V S 短接在一起。

    此致、

    泰迪

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    您好、Teddy、

    6个 FET 背对背->您是指用于热插拔的3个 FET 和用于阻断的3个 FET?   

    您需要在热插拔位置并联6个 FET 才能通过该设计。 请参阅 http://www.ti.com/lit/an/slva673a/slva673a.pdf

    在测量时,您是否在栅极使用高阻抗探头?

    为什么在热短路期间 Vin 会下降?

    热插拔保护取决于流经路径的电流、因此、电流测量对于调试至关重要。  

    BR、Rakesh

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    您好、Teddy、

    6个 FET 背对背->您是指用于热插拔的3个 FET 和用于阻断的3个 FET?   

    您需要在热插拔位置并联6个 FET 才能通过该设计。 请参阅 http://www.ti.com/lit/an/slva673a/slva673a.pdf

    答案:

    6个背靠背 FET 3个用于热插拔的 FET 和3个用于阻断的 FET。我几天前已经读过 slva673a、但它只是帮助我创建了一个 dv/dt 电路、该电路可以在 cacator excel 中设计。我添加了 dv/dt 作为 cacator。

    我认为我的设计与您解决的这个问题类似。

    e2e.ti.com/.../3009809

    我们的设计是相似的。我的 PCBLAYOUT 不够好、因此我添加了3个 TVS 来保护 LM5069引脚1 PIN2 (靠近 IC 引脚)和 Vout (靠近连接器) 由于 MOSFET 在断路器中关断时的电压损坏。昨晚短路保护工作良好100次、但今天早上第一次上电时损坏、即使我更换了坏的 MOSFET、短路保护也不起作用。这很奇怪。  

    在测量时,您是否在栅极使用高阻抗探头?

    答案:是的、我在没有电压探头的情况下直接将 VG 连接到振荡器、但使用 SMA 馈线。我将更改此设置。

    为什么在热短路期间 Vin 会下降?

    答案:

    热插拔保护取决于流经路径的电流、因此、电流测量对于调试至关重要。  

    因为整个电源的功率只能达到400W、所以我认为电源在热短路时具有自保护功能。

    目前的探头不在公司的预算之内,所以,哈哈

    坏 MOSFET 的 G D S 短路、这可能是 电压击穿、因为 MOSFET 的 D S 会在电流击穿时断开。因此我认为 L*di/dt 会产生高电压。这个家伙会杀死我的 MOSFET。

    我是对的吗?

    此致、

    泰迪

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    尊敬的 Rakesh:

    我在您的姓氏上一封电子邮件中犯了错误。

    我很抱歉。

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    您好、Teddy、

    在满载运行系统和在输出端施加短路时,在输入端观察到的最大电压是多少?

    在发生短路事件时、器件需要多长时间才能下拉栅极?

    D133的用途是什么?

    BR、Rakesh

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    您好、Rakesh、

     当您以满载运行系统并 在输出端施加短路时、在输入端观察到最大电压?

    答案:我在输出端短路时捕获了波形。但波形用于 VDS、其范围为-40V 至100V 或更高。最高数字超出屏幕范围。波形仅捕获一次。在大多数情况下、Vd 和 Vs 正常、在热短路时不会过冲 我认为这不是真正的波形、因为 MOSFET 短路了。

    在发生短路事件时、器件需要多长时间才能下拉栅极?

    答案:1us。

    D133的用途是什么?

    答案是:为了浪涌保护。但我移除了 D133并在这里制作了 dv/dt 电路。

    此致,

    泰迪

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    您好、Rakesh、

         我‘ve 了这个问题。我再次添加了 D133、在 MOSFET 的漏极和源极之间添加了 TVS。我还在源极和 GND 之间添加了一个 S5DC-13-F 以防止出现负电压。现在没有电弧、MOSFET 运行良好。以前有大电弧。这种情况可能是由布局引起的、所以这是 与 EVM 不同。

    非常感谢!

    此致、

    泰迪