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器件型号：TPS56C215EVM-762 主题中讨论的其他器件：TPS56C215
您好、TI 专家、
我叫 Morris、是 TI 技术人员。 我 遇到 了有关 TPS56C215 EVM 的技术问题。
根据 客户的 TPS56c215 EVM 调制请求、BOM 列表如下。
L=0.47uH、输出电容=22uF*10、CFF=200pF、RM_L=20k Ω、RM_H=160k Ω
当我进行瞬态测试 时、低于可闻噪声和瞬态性能非常差的条件。 400mVpp。 请参阅随附的文件。
VIN = 5V、Vout = 3.3V、Freq = 800kHz、
瞬态条件
0.9A - 9A 压摆率为2.5A/us、 高 电平= 0.5s、低电平= 0.5s
在我将 Vin 从5V 更改为12V 并将 Vout 保持为3.3V 后、可闻噪声 消失、瞬态性能变得良好(约168mVpp)。 请参阅随附的文件。
问题：
1. TPS56C215是否有占空比限制？
2.为什么较高的占空比会影响瞬态性能并导致可闻噪声。
3.如果我的客户仍然想使用5V 至3.3V 应用程序，如何解决这个问题？ 我试过甲氧以下，但仍然无法 解决。
a.i 将频率从400kHz 更改为1.2MHz 都无法解决
B.我还尝试了不同的电感 0.47uF 和1uF 、它们都无法使其变焦。
C.I 已将输出电容器从88uF 添加到220uF、所有这些电容器都无法将其删除。
