[参考译文] TPS40304：在高温(73DE.C)下关断

多拉、

支持上一个案例的人员不再支持该案例。  我已联系他、要求他提供脱机答案。  我们会尽快回复您。

您好 John，

进行了比较。 在高温条件下、它似乎很容易触发 OCP (IC 外壳顶部、97deg.C 至100 deg.C)

OCP 触发点大致如下所示。 温度为 IC 外壳(TPS40304)。

当55°C 时、OCP 为30A 以上。

当85°C 时、OCP 为21A。

当95deg.C 时、OCP 为10A~14A。

当温度为97~100°C 时、OCP 为5A 至7A。

保护功能是自动恢复的(关断时间大约为300ms)。 似乎不是热关断、因为热关断触发点为145°C、迟滞为20°C 但对此不太确定。  

现在、我们的短期解决方案是通过将顶部外壳与主芯片组的散热器接触来冷却 TPS40304。  

但我们仍然想知道原因。 OTP 还是 OCP？ 如果是 OCP、为什么在高温条件下 OCP 触发点会大幅降低。

请注意、我们尝试添加一个与升压电容器串联的4.7欧姆电阻。 没有改善。

BTW、E2E 确实是一个很好的工具。 它通过学习他人的实验、帮助我们在短时间内找到方向。

谢谢，

多拉

多拉、

您可以检查几个方面。  在 SS 校准期间设置电流限制。  您能否提供包含 SS 电压和 LDRV/OC 波形的波形？  过流恢复具有独特的重新启动特征、5个虚拟启动后跟一个真实启动。  您能检查一下吗？  TPS40304感测高侧和低侧 FET 上的电压以进行电流检测。  您是否在较高温度下具有异常高的压降或噪声？  FET 和控制器结温是多少？  我可以看到您的原理图吗？

尊敬的 John：

请参阅下面的原理图和波形。  

我们将根据您的建议进行测量。 顺便说一下、您能否详细解释一下" 过流恢复具有不同的重新启动特征、5次虚拟启动后是真正的启动"？  

对于"TPS40304、感测高侧和低侧 FET 上的电压以进行电流检测。"、感测高侧 MOSFET Rdson 和低侧 MOSFET Rdson 的感测点是什么？

我无法从数据表中找到相关说明。  

12V 至3.3V 原理图如下所示。 设计电流为12A。

波形(环境温度为70摄氏度、环境温度为100摄氏度、TPS40304，Ω 双绞长线、用于测量)

芯片温度为95deg、负载为15A 时的重试波形：

尊敬的 John：

它似乎会触发电路板上的热关断。  

我使用了以下公式并计算了 TPS40304的功率损耗。  

驱动器损耗：典型值=Vdd* fsw *(高侧 Qg 典型值+低侧 Qg 典型值)=12V* 600kHz*(49nc+49nC)=705W

          Pmax=Vdd* fsw *(高侧 Qg max+低侧 Qg max)=12V*600kHz*(76nC+76nC)=1094W

我的计算方法是否正确？ 如果是、假设降低开关频率有助于降低该芯片的功率损耗。

TPS40303与 TPS40304引脚对引脚兼容。 这将有助于将功率损耗降低到一半。  你同意吗？

谢谢、

多拉