[参考译文] BQ25601RTWT

您好、Habib、

您能给我一些有关测试设置的更多信息吗？ 电池和负载是否是连接到电路板的唯一元件？

如果可能、当您在两种情况下连接负载时、显示 VBAT、IBAT、VSYS 和 ISYS 的波形(较长导线时行为不正确和行为正确)将非常有用。

此外、BATFET_DIS 位是否正在设置并锁存 BATFET？

此致、
Angelo

您好、Angelo、

下面是简化的方框图：看起来 bq2560跳变的 BATFET 是由高浪涌电流引起的。 负载开关的上升时间不够长。

此致、

哈比卜

您好、Habib、

您的附件没有显示给我。

不过、根据您的描述、这听起来像是数据表的第8.3.2节。 当您连接负载时、通过 BATFET 的放电电流过高、因此 BQ25601关闭 BATFET、导致 VSYS 下降。 如果 BATFET_DIS 位被置位、那么这将确认我们的怀疑。

此致、
Angelo

你好、Angelo、是的、这就是发生的情况、并得到确认。 现在、我们正在寻找防止这种情况发生的最佳解决方案。 添加具有可配置上升时间声音的 TPS22975负载开关是一个很好的解决方案。 有什么想法吗？

您好、Angelo、

感谢您确认。 不过、我仍想让您思考一下。 它与同一数据表中有关选择 Cin 和 CL 的10.1.2和10.1.3部分相关。

由于我们的 CL 太大(~2mF)、我想知道 Cin 的大小是多少？ 数据表显示它应该是 CL 的10倍。 虽然 Cin 是可选的、但 CL 不是可选的、它来自我的电路的负载电容。 那么、您如何解释这一点呢？ 我们真的需要这么大的 Cin 电容器，在我的案例中，是20mF！！！

此致、

哈比卜