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主题中讨论的其他器件：CSD18543Q3A、 CSD17585F5、 CSD18537NQ5A、 CSD18514Q5AAO3400用作负载开关以控制风扇、风扇必须具有2A、24V 的容量；
wsf40n06用作负载开关来控制加热电阻器、该电阻器必须具有20A、24V 的容量；
这些 MOSFET 的预期体积相当大、您能否以最低的成本为我提供一些建议？
AO3400用作负载开关以控制风扇、风扇必须具有2A、24V 的容量；
wsf40n06用作负载开关来控制加热电阻器、该电阻器必须具有20A、24V 的容量；
这些 MOSFET 的预期体积相当大、您能否以最低的成本为我提供一些建议？
尊敬的 John：
感谢您的推荐。
第一张图 来自 wsf40n06数据表、第二张图来自 CSD18543Q3A。
当我们比较这两个器件时、我们应该关注哪些参数？
客户要求加热电流为20安培、 但我不确定哪个参数表示这种要求？ 适用于 TI 和 WINSOK 器件。
顺便说一下、CSD18514Q5A 也是一个不错的选择吗？ 考虑到 MOSFET 仅在24V 条件下工作。
您好、Jiandong、
让我们从电流额定值开始。 数据表中的数字通常根据热阻抗和导通电阻进行计算。 20A 的加热电流是连续的还是脉冲的？ 如果是脉冲、脉宽和占空比是多少？ 如果是脉冲、那么我们需要使用数据表中的瞬态热阻抗曲线来确定 FET 是否可以处理电流。 5x6mm QFN (或 TI 称之为 SON)封装在良好布局下的最大功耗约为3W、具体取决于环境温度和气流(如果有)。 QFN 封装背面包含一个大型散热焊盘、可用于将热量散发到 PCB 中。 FemtoFET 是采用极小封装的 LGA 器件系列、比 SOT23小得多。 它最多可耗散0.5W、布局良好。 有关详细信息，请查看此处： 
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请查看此博客： 
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CSD18514Q5A 可用于加热应用。 当然、它是40V BVDSS、对于相同的 RDS (on)、这通常意味着裸片尺寸大于30V FET。 VGS = 10V 且 Tcase = 25C 时的最大功耗：PD = I2 x RDS (on)=(20A)(20A) x 4.9m Ω= 1.96W。 导通电阻随温度的升高而增加(请参阅数据表中的图8)、因此在 Tcase = 100C 时、耗散值乘以1.5或2.94W。 这将突破5x6 QFN 封装所能耗散的极限。 如果您有任何其他问题、请查看并告知我。 有一个由6个部分组成的博客系列可在 此处了解 MOSFET 数据表：e2e.ti.com/.../MOSFET+Blog+Series
