主题中讨论的其他器件: GPCCEDV
我收到了 GPC 工具的回复、如下所示、
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由 FIT 生成的 CEDV 参数。 如果 EDVV 位被设定为1、在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0必须被串行电芯的数量乘以
EMF 3817
EDVC0 213
EDVC1 0
EDVR1 417
EDVR0 6105
EDVT0 4651
EDVTC 3.
VOC75 3935
VOC50 3808
VOC25 3752
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bq34110没有 EDVV 位、因此即使我们使用多节电池、也不需要设置将值乘以串联电池数以 EMF 和 EDVR0?
我理解我们应该将每个参数设置为以下参数、如果有任何错误、请告知我。
EMF 值到数据闪存的 EMF
将 EDVC0值更改为数据闪存的 C0
将 EDVC1值添加到数据闪存的 C1中
将 EDVR1值更改成了数据闪存的 R1
EDVR0值到数据闪存的 R0
将 EDVT0值更改为数据闪存的 T0
将 EDVTC 值更改成了数据闪存的 TC
我在 另一个 E2E 帖子中查看了 bq34110可以忽略 VOC75、VOC50和 VOC25值。
我们应该将数据闪存的"电压0%设置为100% DOD"吗? 如果是、我们应该设置什么值? 它是"OCV11.txt"文件的值吗?
此致、
Kohei Sasaki