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器件型号：BQ40Z50-R2 主题中讨论的其他器件：CSD88537ND
您好！
需要在 BMS 架构方面有一定的方向、尤其是 MOSFET 选择。 我们已经对板进行了原型设计、但由于 MOSFET 设置、它的成本太高。
我的想法是最大限度地减小 MOSFET 的电流容量(这会显著降低成本)、而不需要太多 MOSFET。
我目前正在使用穿孔 IRF100P219 MOSFET；4个在充电侧(最大50A)、4个在放电侧(最大100A)。 MOSFET 加倍是为了满足设计的某些单点故障解决方案要求(如果一个 MOSFET 短路、备用 MOSFET 仍可关闭系统。
我想使用 60V 双路 N 通道 NexFET 功率 MOSFET CSD88537ND。 它的额定值为16A、因此我可能会在充电侧使用12、在放电侧使用12、以保持平衡并满足单点故障保护要求。
这是超杀吗？
BMS 的图像已附加。 此外、还随附了我们希望使用 BMS 的方向图像。
提前感谢您的任何建议。
