[参考译文] 需要隔离式栅极驱动器

尊敬的 Aneesh：

感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。

1. 您是否需要安全隔离？ 您需要增强型还是基础型？ 什么爬电距离和间隙？
2. 您只需要高侧驱动器还是高侧和低侧驱动器？
3. 半桥开关电压是高达500V、还是刚刚穿过500V 域？
4. 您可以分享 MOSFET 器件型号吗？ 您无法使用60V MOSFET 切换400V。

UCC21540和 UCC21222是双通道隔离式栅极驱动器，可能适合您，但我需要更多信息才能确定。

如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。

谢谢、此致、

John

尊敬的 Aneesh：

感谢您返回给我这些信息。

1. 听起来像 UCC21222或 UCC21220等驱动器将为此应用提供正确的隔离电压。 该驱动器具有4mm 输入到输出爬电和2mm 通道爬电。 如果需要更高的隔离或更大的爬电距离/间隙、UCC21540DWK 将是正确的选择。
2. 前面提到的两个驱动器是双通道驱动器、可配置为驱动高侧和低侧 FET 作为半桥驱动器。 这些驱动器能够支持400V 半桥、因为 CHA 和 CHB 在功能上彼此隔离、并具有2mm 的通道间爬电距离。
3. 明白。 UCC21222、UCC21220和 UCC21540均可作为具有400V 总线的半桥驱动器运行。
4. 感谢您的分享。 了解输入和输出电压的配置。 请随时查看此参考设计、因为它听起来与您正在做的类似。
   1. http://www.ti.com/tool/TIDA-010062

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谢谢、此致、

John

尊敬的 Aneesh：

1. 如果在控制器和输入之间放置分压器电路、则仍然可以使用此芯片。 另一种选择是使用 UCC21520、该器件可接受高达18V 的输入。
2. 驱动器拉电流和灌电流通常经过调优、以便在仍符合 EMI 标准的情况下尽可能快地开关 MOSFET。 借助更高的灌电流/拉电流、您将更快地开关 MOSFET 并提高效率。 输出驱动强度也受栅极电阻器选择的限制。 请随意阅读有关栅极电阻器的技术手册。
   1. http://www.ti.com/lit/an/slla385/slla385.pdf

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谢谢、此致、

John

尊敬的 Aneesh：

我认为您所谈论的是输入上升时间、对吧？ 我不认为5k-10kOhm 范围内的电阻器会使您的输入信号降低太多，尤其是当它们由您的控制器的栅极驱动输出驱动并且具有相似的电容值时。

您可以使用此电阻计算器来确定适合您的电阻分压器值。

http://www.ti.com/download/kbase/volt/volt_div3.htm

我还汇总了一个快速图、其中显示了当我将12V 至3.3V 分压器放入计算器时 INA 引脚上的一些分压器值。

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谢谢、此致、

John                                                                                                                                                                                   

此通信和任何相关通信中的所有信息均按“原样”和“不含任何瑕疵”提供，并受 TI 重要声明(http://www.ti.com/corp/docs/legal/important-notice.shtml)的约束。

尊敬的 John：

因此、在栅极驱动器的输入端使用分压器没有任何危害。 TI 已在某些设计中使用此配置、对吧？。

现在、我的疑虑已消除。  

此致

Aneesh