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器件型号:CSD25501F3 关于 FemtoFET MOSFET "CSD25501F3"、我注意到栅极引脚上有一个10kΩ Ω 的钳位电阻器。 在数据表的 kΩ 中、"集成的10k Ω 钳位电阻器(RC)允许栅极电压(VGS)高于最大内部栅极氧化物值–6V、具体取决于占空比。"
但我没有发现占空比如何影响该器件栅极引脚上允许的最大电压的任何参考。 关于占空比的另一个提及是用于确定脉冲 I_D 电流。 那么、我的问题是、V_GS 超过-6V 内部最大值的限制是什么? 除了增加的 I_GS 电流泄漏之外、我是否可以无限期地将 V_GS 保持在-16V ("绝对最大值"表将 V_GS 标识为-20V)而不会降低性能?
谢谢、
Jeff