[参考译文] CSD25501F3：最大 VGS 与占空比间的关系

尊敬的 Jeff：
感谢您提出问题。 我们使用集成钳位电路来实现多个 P 沟道 FET。 尽管这个看起来是我们在-20V 下将绝对最大 VGS 规格定为 PFET 的唯一一个。 根据我看到的数据、我估计齐纳击穿电压大约为6.5V。 尽管我不确定连续-16VGS 的运行如何影响长期可靠性。 我将深入了解这一点、并在我有更多信息时向您回复。

您能否分享有关您的应用的更多详细信息？

尊敬的 Jeff：
下面是一些其他信息。

钳位二极管可在-Vgs 值<-6V 且低至-20V 时保护栅极、从而确保功率耗散不会变得过高。 在这种情况下、PD 是钳位二极管和10k 钳位电阻器 RC 中的功率耗散。 因此、如果一个栅极偏置为-20Vgs、则会发生两件事情。 (1)功率耗散且器件升温，以及(2)栅极电荷注入氧化物(钳位电压为-6V 时的速率相当低)。 该器件不能在-20V 直流电压下长时间在直流电下运行。 因此、这条声明警告用户该器件可以处理栅极上高达-20V 的脉冲、但其设计不是在静态点连续运行。 此外、加热可能更多地是+Vgs 偏移的问题(钳位二极管正向偏置)；对于大于-6V 原生氧化物额定值的值、栅极电荷注入在–Vgs 时更是一个问题。 "占空比"一词试图在一个语句中涵盖这两个词。 请注意、我们没有在 CSD25501F3数据表中对+Vgs 进行规格说明。 在-16Vgs 情况下、栅极电流约为-1mA、相当于功耗为16mW (电阻器为10mW、二极管为6mW)。 您还需要考虑通道(I^2 x RDS (on))中导致器件温度上升的任何传导损耗。

如果您可以分享有关您的应用和运行条件的更多详细信息、我们可能会为您提供更明确的响应。