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[参考译文] ISO5451:iso5451

Guru**** 1956050 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/780034/iso5451-iso5451

器件型号:ISO5451

我的应用是几毫秒的单脉冲、我认为去饱和功能可能无法使用、您能告诉我连接到 DESAT 引脚的内部 MOSFET 的控制信号时序吗?

谢谢、

徐海龙

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    你好,海龙,

    我是高功率驱动器组的应用工程师。

    DESAT 仅在开关器件(IGBT 或 MOSFET)的导通状态下工作。 计时的第一级是消隐时间、该时间由外部电容器根据第10.2.2.8节中给出的公式进行设置。 这是第一个延迟、由于 IGBT/MOSFET 导通所需的时间、该延迟通常在纳秒范围内。 您正在使用哪种设备?

    在消隐时间结束且器件进入去饱和状态后、会触发 DESAT 故障、如图40的时序图所示。 表7.10给出了 DESAT 的时序规格。 当根据 t_desat (10%)的时序触发 DESAT 时、输出将被驱动为低电平、以保护系统、定义为最大500ns。 输出现在保持低电平。 您可以看到、故障信号传输所需的时间较长、大约为2us。 但是、在 OUT 被拉至低电平后的这段时间内、您将无法打开器件、因此 t_desat (10%)的时序应足以满足您的时序要求。

    如果我能够回答您的问题、请点击绿色按钮!

    谢谢、
    Audrey

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    您好、Audrey、

    感谢您提供的信息、但这可能没有意义、也许我没有清楚地描述。
    在我的应用中、IGBT 将由6mS 长的脉冲触发、如果我想利用 DESAT 的功能、它可能会使用比 DESAT 引脚更大的电容连接、我注意到 IC 内部的引脚 DESAT 连接到二极管和 MOSFET;
    我的问题是:
    使用哪种信号来控制内部 MOSFET、我想当 OUT 为高电平时、MOSFET 将关断、然后500uA 电流将为电容充电
    连接到 DESAT 引脚;图中为 DESAT 斜坡 电流源为40 μ A? 还是 IGBT VCE 导致的?
    谢谢、

    徐海龙
    2019年6月3日
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    Hailong、您好!

    您提到的6ms IGBT 的脉冲对 DESAT 时序没有影响。 正确的答案是、当 OUT 为高电平时、内部 MOSFET 关闭。要回答您的问题、是的、电容器和500uA 电流源正在设置图的 DESAT 斜坡。 40。该时间将设置您的 DESAT 引脚被钳位到 VCE 的最短保护时间。

    这是否能回答您的问题?

    谢谢、
    Audrey
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    谢谢、Audrey、回答了我的问题。

    徐海龙

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