• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 39 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2121：关于输入负电压。

admin
Guru**** 2553450 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/779663/tps2121-about-input-negative-voltage

器件型号：TPS2121

你(们)好。

您能否给我一些建议、因为我无法完全理解这个问题(e2e.ti.com/.../778361)

他说、 如果12V 在第一个电源(IN1)上、而-12V 施加到 IN2、则内部 FET 和 ESD 结构将承受24V 的压力。  

我无法理解内部 ESD 结构为何会承受应力。

因为器件 GND 应该不变。

此致。

Kengo。

  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kengo、

    再次感谢您的支持。

    如果一个输入为12V、另一个输入为-12V、我假设 GND 基准也发生变化。 FET 两端的应力将为24V、因为 BFET 的一个输入为12V、另一个输入为-12。 如果您通过 a-huang@ti.com 向我发送电子邮件、我可以与您分享更多信息

    谢谢、

    黄亚瑟
  • 0
    TI__Guru**** 2553450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Arthur。
    我将通过电子邮件与您联系。
    谢谢。