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[参考译文] BQ24715:MOSFET CSD17308Q3的布局

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24715, CSD17308Q3

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/862112/bq24715-layout-of-mosfet-csd17308q3

器件型号:BQ24715
主题中讨论的其他器件: CSD17308Q3

您好!

我们将 BQ24715用作应用的充电器 IC。  

在介绍 BQ24715的 EVM 模块时、FET CSD17308Q3 (数据表中的 Q4和 EVM 模块中的 Q2)周围有很大的区域。 通过查看 FET 的数据表、我们发现这是推荐的布局。

对于我们的设计、我们有 PCB 空间限制、并且我们不能为 FET 提供如此大的面积。

我们可以改用散热器吗?

您可以为此建议一个解决方案吗?

谢谢

此致

Harini Krishna

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、哈里尼、

    通常建议采用这种方法来降低不连续开关电流路径的阻抗(尤其是电感)、并提高 PCB 的散热能力。

    您可以选择使用热膏散热的散热器。 但是、我还建议您保持输入环路非常紧密(从输入电容器--> HSFET --> LSFET -->接地)。 我还会尝试保持低电感输入路径。

    此致、

    Joel H