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[参考译文] BQ24610：BQ24610 P-MOS 损坏问题

admin
Guru**** 2419530 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823328/bq24610-bq24610-p-mos-damage-problem

器件型号：BQ24610

你好！

在我的应用中、输入电压为12V/3A。 电池充电条件为8.4V/4A。 我们遇到了一个问题、即 P-MOS 将随机损坏。 您可以在原理图中看到 Q2。 Q1始终正常。

我们的设计基于官方设计。 包括所有零件号，如 MOSFET，楔块。

我能否获得您的快速支持来帮助解决问题？

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    TI__Guru**** 2419530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kun：

      您的电路上是否有输入缓冲器？ 您能否在 IC 未损坏以及 IC 损坏时获取 VCC、适配器电流、ACDRV 的波形？ 只需确认一下、您对 Q2使用了什么特定的 PFET？ 您是否能够隔离 PFET 上的确切损坏？

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    TI__Guru**** 2419530 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kedar、

     我们在 Q2使用 Vishay SI4401BDY。 我们制作了200多套产品。 P-MOS 有大约15组损坏。 我们无法获得解决问题的关键，因此我们希望得到一些帮助来分析和解决问题

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    TI__Guru**** 2419530 points
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    尊敬的 Kun：

      这是一个额定电压为40V 的 P 沟道 MOSFET、因此在输入为12V 时、输入端的振铃不应超过 MOSFET 的额定值。  ID 电流额定值大约为9A 也不应被违反。 请告诉我您是否可以获得上面提到的示波器捕获、因为这将告诉我是否违反了上述任一 MOSFET 参数(我怀疑)。  

      输入适配器插件上的 PFET 是否损坏？ 当 PFET 损坏时、您观察到的充电器行为是什么、您如何能够判断特定的 PFET 损坏？

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    TI__Guru**** 2419530 points
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    尊敬的 Kun：

      我们一段时间没有收到您的反馈、并假设您能够解决您的问题。 如果感觉不是自由的、请打开一个新的螺纹。