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[参考译文] LM5170-Q1:VHB-UV (自举欠压阈值)

Guru**** 2450170 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5170

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/824401/lm5170-q1-vhb-uv-bootstrap-undervoltage-threshold

器件型号:LM5170-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5170

请告知我们  在正常运行后 HB 电压低于 VHB-UV 时的器件行为(尤其是 HO、LO)。

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    您好 Kura、

    感谢您的参与。   当 HB 低于 BOOT UV 时、高侧驱动器将停止开关。   当 LM5170设置为降压模式(DIR="1")时、LO 将发出大约200ns 宽度的充电脉冲、以帮助 C_HB 重新充电。   如果 IC 设置为升压模式(DIR_0")、则 C_HB 将由下一个 LO 脉冲或脉冲充电。  一旦 C_HB 充电至高于引导 UV、HO 可以重新存储开关。

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi

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    优生三

    感谢你的答复。

    您的意思是、当 HB 低于引导 UV 时、只有高侧驱动器将停止开关

    低侧驱动器将继续在两种模式(降压模式和升压模式)下切换 、以便为 C_HB 充电?

    一旦 C_HB 充电至高于引导 UV、HO 可以重新存储开关。

    我的理解是否正确?

     

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    是的、你是对的。   

    此致、

    Youhao