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[参考译文] UCC24612-1EVM:UCC24612时序错误

Guru**** 1637200 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24612, UCC24612-1EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/824096/ucc24612-1evm-ucc24612-timing-error

器件型号:UCC24612-1EVM
主题中讨论的其他器件:UCC24612

您好!

我在 POE 电源中使用 UCC24612-1DBVR。 此电源是 TI 参考设计(TIDU190-2014年1月)、具有12V 15W 反激式拓扑。

在 DCM 模式(非连续导通模式)下、一切工作正常。

当电源必须提供超过大约10W 的功率时、转换器进入 CCM (连续导通模式)。

在 CCM 下、PowerFET 关断太晚、这会引入瞬时短路、从而导致非常强的尖峰。

所有这些都会导致 PowerFET 和缓冲电阻器变得非常热。

离开缓冲器不会改变 UCC24612的行为、当转换器进入 CCM 时、PowerFET 仍然变得很热。

PowerFET 类型为 FDMC102L、VDD 和 REG 电压稳定、栅极具有数据表中建议的2 Ω 电阻器。

我忘记了吗?

此致、

Chris

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Chris、

    感谢您关注 UCC24612-1 SR 控制器。  为了从该控制器获得最佳性能、同步整流器(SR) MOSFET 应与其必须导通的电流很好地匹配。  按照 UCC24612数据表公式1示例、您的应用的 RDS (ON)应约为40-50MR (基于估计的2-2.5Apk 次级电流)。  如果 SR MOSFET 过大(RDS (ON)过低)、则很难在 CCM 中快速将其关闭。

    您提到您的 SR FET 是 FDMC102L、但我在网络搜索中找不到数据表或对此器件型号的任何引用。 您能否验证该数字并提供其参数?  

    此外、您能否澄清您的应用?   此 E2E 帖子的标题是指 UCC24612-1EVM。  您是否使用此 EVM 来代替 TIDU190设计中使用的 SR FET?  如果是、您是否已断开现有 SR FET 并正在完整使用 EVM、或者您是否仅使用 EVM 上的控制器并断开 EVM MOSFET?  您谈论的是哪款缓冲器:TIDU190上的缓冲器还是 EVM 上的缓冲器?
    您能否提供设计的 SR 部分的清晰原理图来确切显示您实现了什么?

    请确保您所使用的 SR FET 额定电压为80-100V 且约为50MR、并且仅驱动一个 FET (不是并联的 TIDU FET + EVM FET)。

    此致、
    Ulrich

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    您好 Ulrich、

    感谢您的快速回复和建议。

    我选择 SR 的原因是我不必使用驱动绕组。 如果变压器过时、我有更多的选择来替代它。

    因此、我仅将 SR UCC24612-1DBVR 与 MOSFET 结合使用。

    SR MOSFET 为 FDMC86102L (Vgs 10V 时为23m Ω、Vgs 4.5V 时为34m Ω)。 在我的当前设计中、我无法选择快速修改它。

    在重新设计中、我将添加一个小电阻器以满足所需的最佳 MOSFET 电阻。 我的缓冲器是一个470pF、具有47E 电阻器。

    再次感谢您的帮助。

    Chris