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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/847109/is-there-any-suggested-ti-mosfet-to-replace-fdms86350et80
您能否提供建议器件的建议、以与 FDMS86350ET80进行竞争？ 谢谢你。
您好、Aki、
感谢您关注 TI MOSFET。 最接近的是 CSD19502Q5B。 这是一款采用5x6 SON 封装的80V 器件、但在 VGS = 10V 时 RDS (on)要高得多、最大值为4.1m Ω。 如果他们可以使用60V FET、那么我建议使用 CSD18540Q5B。
John、
谢谢你。 4.1m Ω 可能不合适。 我找到了另一个40V MOSFET PSMN1R8-40YLC、您还能帮助检查我们的替代器件吗？
尊敬的 Aki：
再次感谢您的查询。 我建议使用 CSD18512Q5B 来替代 PSMN1R8-40YLC。 VGS = 4.5V 时的导通电阻略高、2.3m Ω 与2.1m Ω 最大值相比、但 VGS = 10V 时的导通电阻较低、1.6m Ω 与1.8m Ω 最大值相比
