[参考译文] BQ24780S：EVM 上的电容器

迭戈、

  感谢您的提问。

  C13较大、因为我们希望减缓 ACFET 的导通转换、以减少适配器和 VBUS 电容器之间的浪涌电流。

  未组装 C23、因为 HS 降压 FET 会产生大量硬开关损耗、因此我们不希望通过组装此电容器来降低开关速度。 这里有占位符、因为在发生一些不良布局或意外栅极振荡的情况下、我们可能需要使用该电容器、以防出现效率问题。

  降压 LS FET 的 C25在同步整流器下工作、因此开关速度对于开关损耗不是至关重要的、因此最好使用150pF 电容来帮助减少栅极电压振荡。

  C27 (BATFET)不会以高频模式开关、因此 最好使用10nF 电容、以帮助减少 BATFET 缓慢 转换过程、从而防止系统和电池之间的浪涌电流。

  希望我的回答能帮助您理解。  

此致

三国