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[参考译文] TPS23757:开始出现问题

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23757EVM, TPS23757

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822921/tps23757-starting-issue

器件型号:TPS23757

您好、达尔文、

在给定不同接地的情况下、如何使用标准示波器测量输入和输出 FET 上的 VDS?

我仍在使用 TPS23757EVM。

BR

Michael

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    Michael、  

    Darwin 出差、所以我会填写。 为了进行此测试、您应该能够仅短接初级和次级接地。  

    Artem  

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    您好、Artem、

    感谢您的参与。

    也许您有一个提示或指针、可以在哪里查看:当电路板处于冷态时、PoE 通常启动良好。 一旦开始、它就能完美运行。

    当电路板发热时、它不会启动。 输出 LED 短暂亮起、非常暗、我听到可闻噪声。

    当我触摸电路的各个部分、例如初级或反馈变压器时、我通常能够启动 PoE。

    BR

    Michael

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    Michael、  

    这是使用 TPS23757 EVM 还是您自己的电路板?   

    Artem  

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    您好、Artem、

    这是我们自己的电路板、但原理图基于 TPS23757 EVM。  

    我在此附上原理图。

    由于空间原因、我们不得不使用不同的变压器:

    反激式:Wuerth 749 119 350

    栅极驱动器:TDK/EPCOS B82804A0354A110  

    BR、
    Michael

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    Michael、  

    将您的原理图与 EVM 进行比较时、我首先注意到您使用了较小的 VC 电容器。 您似乎用10uF 陶瓷电容器替换了22uF 电解电容器。  我不知道您使用的额定电压陶瓷电容器是多少、但它们具有电压 系数、这会使其电容随电压下降。  

    我最初的想法是、您在使用 VC 电容器的边缘、只需在室温下启动、它就会随着温度的升高而脱落。 电容、栅极电荷和 IC 在整个温度范围内的电流消耗可能会发生变化、这会使您超过边缘。  

    您能否获取一个波形、捕获室温和高温下相对于 RTN 的 VDD1和 VC。 这应该给我们一些线索。

    Artem  

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    Artem、

    感谢您关注此问题。 我们已将 VC 上限提高到22 μ F、并进行了折返更改:

    R15 = Rclass = 90.9欧姆:相当于 EVM

    R12 = RDT = 49.9k 欧姆:10k 的值相当小、我从数据表中获取了49.9。 还是 shoudl 使用10k?

    R14 = 10欧姆:如 Luis 建议的那样防止击穿

    为了应对变压器类型的变化、应该进行哪些更改?

    我在22 μ F 的基础上增加了10 μ F。 现在、电路开始。 这里是起始室温下的波形、VDD1顶部为蓝色、而 VC 底部为橙色:

    VC 似乎在略高于6V 的情况下相当低?

    BR

    Michael

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    您好、Michael、

    我同意 Artem 的评论;此外、VC 的下降 UVLO 为5.4V、因此6V 电压会使其接近。由于 EVM 使用不同的变压器、我相信您的 R551电阻器也可能过大。 您可以考虑减小它、可能首先从50欧姆开始、以获得比 VC UVLO 更高的裕度。