您好、达尔文、
在给定不同接地的情况下、如何使用标准示波器测量输入和输出 FET 上的 VDS?
我仍在使用 TPS23757EVM。
BR
Michael
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您好、达尔文、
在给定不同接地的情况下、如何使用标准示波器测量输入和输出 FET 上的 VDS?
我仍在使用 TPS23757EVM。
BR
Michael
Michael、
将您的原理图与 EVM 进行比较时、我首先注意到您使用了较小的 VC 电容器。 您似乎用10uF 陶瓷电容器替换了22uF 电解电容器。 我不知道您使用的额定电压陶瓷电容器是多少、但它们具有电压 系数、这会使其电容随电压下降。
我最初的想法是、您在使用 VC 电容器的边缘、只需在室温下启动、它就会随着温度的升高而脱落。 电容、栅极电荷和 IC 在整个温度范围内的电流消耗可能会发生变化、这会使您超过边缘。
您能否获取一个波形、捕获室温和高温下相对于 RTN 的 VDD1和 VC。 这应该给我们一些线索。
Artem
Artem、
感谢您关注此问题。 我们已将 VC 上限提高到22 μ F、并进行了折返更改:
R15 = Rclass = 90.9欧姆:相当于 EVM
R12 = RDT = 49.9k 欧姆:10k 的值相当小、我从数据表中获取了49.9。 还是 shoudl 使用10k?
R14 = 10欧姆:如 Luis 建议的那样防止击穿
为了应对变压器类型的变化、应该进行哪些更改?
我在22 μ F 的基础上增加了10 μ F。 现在、电路开始。 这里是起始室温下的波形、VDD1顶部为蓝色、而 VC 底部为橙色:
VC 似乎在略高于6V 的情况下相当低?
BR
Michael