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尊敬的 TI 工程师:
我对 LM5170 EVM 板有疑问。
我将下图中的反向电路返工为反向电池极性。
当我在升压模式下运行时、我发现在 Oring MOS 导通时、输入浪涌电流非常高。
请建议如何更改开启时间并保持关闭时间。
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尊敬的 TI 工程师:
我对 LM5170 EVM 板有疑问。
我将下图中的反向电路返工为反向电池极性。
当我在升压模式下运行时、我发现在 Oring MOS 导通时、输入浪涌电流非常高。
请建议如何更改开启时间并保持关闭时间。
您好 Steven、
感谢您使用 LM5170。 哪种电池的极性相反? 上述电路用于防止12V 电池反极性、但不能防止48V 电池。 当48V 电池极性反转时、直流/直流开关体二极管形成传导电流的路径。 您还需要为48V 侧添加保护电路。
您能否分享有关您的应用的一些详细信息? 如果您不想在 e2e 公开、您能通过您所在地区的 FAE 联系我们吗?
谢谢、
应用 工程学 Yohao Xi
您好 Steven、
您看到的基本上是热插拔问题。 我相信您对 VIN 引脚施加了高电压、以帮助打开断路器 FET、Rigtht?
为了减少浪涌、您需要缓慢打开断路器 FET。 在 BRKG 和 FET 的栅极之间插入一个栅极电阻器、并在 FET 的栅极和源极之间添加一个电容器、然后 RC 可以减慢开通速度、使其成为浪涌限制器。
执行此操作时、请记住添加一个与栅极电阻器并联的二极管、以便 FET 的关断不受栅极电阻器的影响。
希望这能澄清。
此致、
Youhao
您好、Youhao、
是的、我只 会向 VIN 引脚生成高电压 、以通过添加 额外电路来帮助打开断路器 FET。
我尝试增大1欧姆~10欧姆、但浪涌电流的情况不会改善。
我还在 FET 的栅极和源极上添加了一个电容器、这是 降低浪涌电流的有效方法。
但是 、断路器 FET 的关断时间会增加、这可能会带来保护风险。
因此、我希望您可以建议除 上述解决方案之外的其他解决方案。
谢谢。