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[参考译文] LM5170EVM-BIDIR:LM5170EVM-BIDIR:断路器

Guru**** 2455360 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5170

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823777/lm5170evm-bidir-lm5170evm-bidir-circuit-breaker

器件型号:LM5170EVM-BIDIR
主题中讨论的其他器件:LM5170

尊敬的 TI 工程师:

我对 LM5170 EVM 板有疑问。

我将下图中的反向电路返工为反向电池极性。

当我在升压模式下运行时、我发现在 Oring MOS 导通时、输入浪涌电流非常高。

请建议如何更改开启时间并保持关闭时间。

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    您好 Steven、

    感谢您使用 LM5170。  哪种电池的极性相反?  上述电路用于防止12V 电池反极性、但不能防止48V 电池。  当48V 电池极性反转时、直流/直流开关体二极管形成传导电流的路径。 您还需要为48V 侧添加保护电路。

    您能否分享有关您的应用的一些详细信息?  如果您不想在 e2e 公开、您能通过您所在地区的 FAE 联系我们吗?

    谢谢、

    应用 工程学 Yohao Xi

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    您好、Youhao、

    是的、我知道上面的电路是为了防止12V 电池反极性。

    当我在升压模式下运行时、输入浪涌电流路径为从低压侧(12V)到高压侧(48V)。

    输入浪涌电流高达116A、因为输出电容(1200uF)非常大。

    因此、我希望增加 开通时间以降低浪涌电流、 并保持最初的关断时间。

    请建议如何调整驱动电路的组件值。

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    您好 Steven、

    您看到的基本上是热插拔问题。  我相信您对 VIN 引脚施加了高电压、以帮助打开断路器 FET、Rigtht?   

    为了减少浪涌、您需要缓慢打开断路器 FET。  在 BRKG 和 FET 的栅极之间插入一个栅极电阻器、并在 FET 的栅极和源极之间添加一个电容器、然后 RC 可以减慢开通速度、使其成为浪涌限制器。

    执行此操作时、请记住添加一个与栅极电阻器并联的二极管、以便 FET 的关断不受栅极电阻器的影响。

    希望这能澄清。

    此致、

    Youhao

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    您好、Youhao、

    是的、我只 会向 VIN 引脚生成高电压  、以通过添加 额外电路来帮助打开断路器 FET。

    我尝试增大1欧姆~10欧姆、但浪涌电流的情况不会改善。  

    我还在 FET 的栅极和源极上添加了一个电容器、这是 降低浪涌电流的有效方法。

    但是 、断路器 FET 的关断时间会增加、这可能会带来保护风险。

    因此、我希望您可以建议除 上述解决方案之外的其他解决方案。

    谢谢。

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    这是有效的解决方案。  我将使用10kOhm 和一个小电容器、并添加一个与10kOhm 并联的二极管。  因此、关断速度不会受到太大的影响、因为它只需要对较小的电容器进行放电。   

    谢谢、

    Youhao  

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    10千欧?真的吗?

    该值非常大。  

    您能否了解如何设计 Rg 值?

    我只是尝试10kOhm、 这是一种降低浪涌电流的有效解决方案。

    但是、我发现稳定的 Vgs 低于10V、这似乎是一个错误。

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    您可以将其更改为2k 以减少压降、因此您可以在 FET 栅极获得至少10V 的电压、 并将栅极电容增加到5x 以获得相同的延迟时间。  

    谢谢、

    Youhao