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[参考译文] LM5109A:是否有一个下拉电阻器来保持上部 FET 关闭?

Guru**** 1637200 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/824608/lm5109a-is-there-a-pull-down-to-hold-the-upper-fet-off

器件型号:LM5109A

当两个输入都处于低电平很长时间时、可能会出现未定义状态、我对此表示关注。 在这种情况下、我想知道 FET 或电路泄漏是否会略微将顶部栅极拉为正。 如果是、则栅极最终可能会充电到足够大的电压、从而略微增强 MOSFET、然后开始上拉图腾柱和 HS 的中点。 一旦 HS 高于 VDD、顶部驱动器就没有偏置、因此无法使 MOSFET 保持关闭状态。

一些栅极驱动器建议包含一个高值栅极-源极电阻器、以解决类似的情况。 我在数据表中看不到任何对此的引用。

我是否需要包括栅极-源极下拉电阻器来防止这种情况?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、George、

    有关驱动器在施加0或低电压偏置(低于 VDD 或 VHB)的情况下将输出保持在低电平状态的详细信息、请考虑。

    内部驱动器级是一个上拉和下拉 MOSFET、每个 MOSFET 都有一个体二极管作为功率 MOSFET。 在0V 偏置条件下、有一条从驱动器输出到偏置电容器的体二极管路径、该路径将驱动器钳位到二极管 VF、VDD 或 VHB。 有内部初始化电路强制驱动器输出级进入关断状态、当 VDD 或 VHB ~1.5V 时生效、 这是内部驱动器器件的典型阈值电压、当 VDD 或 VHB ~1.5V 时、驱动器强制进入关断状态、直到实现 UVLO。 此时、驱动器输出将跟随驱动器输入。

    我认为、最好使用 栅源极电阻、主要用于解决 MOSFET 漏极到栅极可能存在的泄漏电流。

    请确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

    此致、

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    感谢您的快速响应。 我将在我的设计的下一个方面解决这个问题。 也许值得在数据表中添加一段内容来提及问题和可能的解决方案。