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[参考译文] LM74700-Q1:使用理想二极管替代 PFET

Guru**** 2516170 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62135, LM74700-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/819318/lm74700-q1-replacing-pfets-with-ideal-diode

器件型号:LM74700-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS62135BQ2057

下午好...

我正在寻找一种将降压转换器连接到电池充电器的低损耗方法...最初我使用的是二极管,发现它浪费了太多的功率...我一直在考虑放置低 Rdson MOSFET (P 型) 背靠背并使用它们,但我也一直在查看 LM74700理想二极管...阅读数据表后,我只想确认我认为:

1. 反向泄漏电流将由 IDSS 因固有的体二极管而引起?  我在降压转换器上有一个高阻抗电阻反馈、所以这个漏电对我来说很重要.....

2. 导通时、浪涌将流经体二极管、直到 MOSFET 导通?

3.如果 MOSFET 被禁用(通过使能引脚)、体二极管将传导所有电流?

谢谢

Steve  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Steve、

    反向泄漏:

    是的、反向泄漏电流主要通过外部 MOSFET 固有的 IDSS 实现、因为 MOSFET 在栅源极电压为0V 的情况下关断。

    除了 MOSFET IDSS 之外、从 C 引脚流经 IC 的泄漏电流最大值约为2.06uA、这在第6页的数据表电气表中进行了指定。

    浪涌:

    在 MOSFET 的初始导通期间、体二极管将传导浪涌电流、直到栅极导通。

    禁用:

    当通过 EN 引脚禁用时、MOSFET 的体二极管仍将正向导通。

    您是否正在寻找 背靠背 MOSFET 连接?

    此致、

    Kari。

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    您好、Kari、

    我不确定。 目前、降压 TPS62135上的分压器约为130万欧姆、足够轻、二极管关断时的泄漏电流会导致输出电压升高...该电压随后通过 TPS MOSFET 体二极管反馈到 Vin/EN 引脚...以及何时 二极管在这个小型设计的损耗上、会导致发热问题...我想转至 TPS 和 BQ2057电池充电器之间的低损耗互连...我最初的想法是背靠背 P-FET ...理想二极管听起来很有希望、但我听到了来自同级器件的隆隆声 首次加电时、Vout 可能是电压(在我的案例中、连接到电池)、然后您施加 Vin、可能会出现一些问题??  您能评论一下我可能想了解的应用内容吗?

    谢谢

    Steve

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    您好 Steve、

    请给我更多的时间来查看您的回答并返回。

    此致、

    Kari。

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    您好 Steve、

    当 LM74700-Q1关断时、阴极(MOSFET 的漏极)到阳极(MOSFET 的源极)的泄漏是由 MOSFET 的 IDSS 泄漏造成的(通常制造商规定其范围为100nA)。  

    数据表中提到的2uA 泄漏是阴极到 GND 之间的、这不会影响您的设计。

    关于同行提出的问题、LM74700-Q1已通电输出(阴极)时不会出现问题。

    请参阅随附的图片(VIN 为阳极、VOUT 为阴极)。

    此致、
    Kari。

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    谢谢 Kari

    因此、在20A/Div 条件 下、当输入电压(阳极)关闭且阴极很热时、我必须获取有关泄漏电流的信息、因为很难从 C4得知。 几个问题:

     1.当阳极>阴极时(我猜开关在这里关闭??) 那么、根据数据表、共阴极电流是2uA 接地?

     2.数据表中的哪种规格使我能够识别从阴极到阳极的泄漏电流? (Ishutdown 的这一部分是否为900nA?)

    Steve

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    您好、Steve、

    上面的波形表示、当阴极受电或具有一定电压电势时、器件在导通时没有任何问题。 (您有一个基于同行经验的问题)。 这并不表示存在泄漏。

    1.阳极<阴极时(乘100mV)数据表指定阴极的最大泄漏电流为2.2uA。

    2.当阴极为12V 且阳极为-12V 时、最大泄漏电流为2.06uA。

    此致、

    Kari。

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    您好、Steve、

    加上上述响应、当阳极为-12V 时、不存在到 GND 的阴极泄漏。 这是因为 GND 连接是断开的、以防止反向12V。 因此、最大值为2.06uA 的泄漏电流从阴极(12V)到阳极(-12V)。 但是、这不是您要问的问题。

    但是、当阴极加电且阳极为0V 时、您需要泄漏电流?

    此致、
    Kari。

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    你好,Kari。。

    我想在降压转换器和电池充电器之间使用该器件。

    我认为、从数据表中可以看出、如果我"关闭"(即使能引脚为低电平)有源二极管、那么我的最大泄漏电流为1.5uA (来自规格表的 I (shdn))、与阴极和二极管无关。  这是正确的吗?

    谢谢

    Steve

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    您好 Steve、

    是的、我的理解是、您在降压转换器和电池充电器之间使用的是理想二极管、初始问题是当理想二极管关断且降压也关断时、 由于通过1.3Mohm 电阻分压器(降压的反馈路径)泄漏的少量 uA、电池充电器侧通过理想二极管的泄漏不应意外导通。 如果此泄漏电流足够高、可增加到几伏特(3-4uA 可能会导致5V)、并且此5V 降压输出可以通过其高侧 MOSFET 体二极管进一步导通降压转换器。 请告诉我是否正确理解了问题?

    返回 I_Shdn、是的、当 EN 为低电平时、最大电流为1.5uA。

    此致、

    Kari。

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    卡里…

    是的、您确实正确理解了问题!  我相信您也已经回答了我的问题...今天结束时、我不确定所有可能正在运行的机制、但我希望尽可能降低泄漏电流、在我看来、我们的讨论结果似乎是1.5 uA。  当然,这是一个很好的数字...当然,我可能仍然不得不反驳这样一个事实,即阳极看起来像一个开路,在实践中,如果您在二极管的一端(阴极或阳极)上施加电压 由于另一端无负载、电压将驻留在该二极管的另一端(阳极或阴极)、因为它将二极管提升到接地电压以上两端的特定电压。  这反过来将通过降压转换器的内部 MOSFET 体二极管反馈到 Vin 引脚(我在我使用的传统二极管上已经看到过 Vin 引脚)。  不过、我在这里的想法是、如果它尝试将其打开、那么二极管将会反向偏置、并且不支持降压启动的电流要求、因此转换器会保持关闭。

    无论如何,谢谢你,因为我相信你已经回答了我最初的问题。。。

    Steve