请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：UCC27712 你好
目前、我们使用的 UCC27712具有12V 电源和5V Vgs 阈值电压的高侧 MOSFET。
我们将以双倍的电压驱动栅极、这实际上是需要的。 我们只需要5V Vgs、但 MOSFET 是使用12V Vgs 驱动的、因为 Cboot 会在12V 上充电。
我们的测量结果表明、对栅极进行远高于阈值电压的充电会导致一些问题的开关延迟。
一个很好的解决方案是、不要将 Cboot 充电至12V、而是限制此电压。 因此、我们在 Rboot 和 Cboot 之间内置了一个 z 二极管、并生成了 VDD 至 HB 的压降。 这只是限制电压 Vboot、然后由 Vboot 驱动栅极。 另一种解决方案是直接在 MOSFET 的栅极和源极之间构建一个 z 二极管。 但第二种解决方案不是首选、因为它会增加栅极的电容。
但是、我们首选的解决方案仅在 Vboot 限制为8V (z 二极管的 VZ => 4.7V)之前有效。 当我们进一步增大从 VDD 到 HB 的压降时、栅极驱动器停止驱动 MOSFET。
如果我正确理解了数据表、则 UCC27712的 UVLO 不是这样做的原因。
如果 Vboot 受此限制、为什么该栅极驱动器会停止开关？ 您是否建议不以这种方式使用 z 二极管？ 或者、从 VDD 下降到 HB 是否没有问题？
此致
Eric Walser
