[参考译文] TPS23754：组件功率耗散

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPS23754

您好！

使用 TPS23754EVM-420的客户发现 Q2、D15、D16在室温条件下的温度有点高，他们需要构建热仿真模型，需要知道 Q2、D15、D16功率耗散，因此如何计算它？

0 admin 6 年多前

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您好 Fandy、

MOSFET 功率耗散可通过导通损耗和开关损耗来计算。以下白皮书说明了如何计算这些值： http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf

二极管的功耗是正向电流乘以正向压降。但是、由于这是反激式、我建议测量二极管的峰值电流。

数据表中应包含二极管正向电流/电压信息以及功率降额曲线。 https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds30119.pdf

我们的方法是在整个系统运行后获取热性能和效率数据、而不是尝试计算或建模。由于有很多因素、很难对系统进行良好的建模。以上公式和应用手册应可帮助您完成此过程。

此致、

Michael Pahl

电源管理（参考译文帖）(Read Only)