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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822701/tps92641-external-nfets-selection
大家好、
d/s 未描述如何计算 高侧/低侧 FET 的功率损耗。 您能告诉我这些公式吗？
此致、
山口
山口山口-圣、您好！
我们目前没有用于此的公式。
谢谢 Tuan
大家好、Tuan - San、
我在下面描述了通用同步整流 IC 的 FET 损耗公式。 此公式是否适用于 TPS92641？
高侧 FET
PCOND (H)=IO^2*RDS
PSW(H)=1/2*Vin*IO*(trise+tfall)*FSW
Pcos (H)=1/2*输出电容*输入电压^2**输出电压
PLOSS-TOTAL (H)= PCOND (H)+PSW (H)+PCos (H)
低侧 FET
PCOND (L)=IO^2*RDS
Pdead (L)=IO*VF*(TD-LH+TD-HL)*FSW
Pcos (L)=1/2*输出电容*输入电压^2* Fsw
PQrr (L)=Qrr*Vin*FSW
PLOSS-TOTAL (L)= PCOND (L)+ PDead (L)+ Pcos (L)+ PQrr (L)
你好、Takashi-San、
您的公式未考虑电感器中的纹波电流。 如果您需要更精确的公式来计算通用降压稳压器 MOSFET 损耗、请参阅以下公式。
http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf
