在输入我的问题时、我看到了问题。 因此、我实际上在寻找一个潜在的器件或解决方案。
LM5110数据表仅指驱动 N 沟道 MOSFET。
我想使用具有双极电源的 LM5110来驱动接地参考线圈。
N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 由于两个 MOSFET 上的二极管而使电源短路。
H 桥通常是单电源。
您可能有一个允许双极驱动的器件吗？
谢谢
Peter
您好、Peter、
感谢您对我们的司机的关注、我叫来自高功率司机团队的 Mamadou Diallo。
在回答您的问题之前、我没有什么意见/问题。
您能不能帮助我理解为什么您特别需要双极电源来驱动 N 沟道 FET？ 您真的需要双极电源吗？
LM5110是一个很好的起点、因为它允许(如果确实需要)实施双电源来驱动 FET。 我们的驱动器可用于驱动 P 沟道 FET、也可使用 LM5110-3SD 来驱动 P 沟道 FET、其中反相通道(CH-B)可用于驱动 P 沟道 FET、而同相驱动 N 沟道。
您还可以使用 SOIC 封装版本(两个通道均为反相或同相)、并在驱动器输入端使用离散 NPN 实现逆变器电路、如下所示。
但是、如果不需要双极电源、我 建议您考虑我们的低侧驱动器产品系列中的 UCC2752x 系列、尤其是具有反相和同相通道以及20V (LM5110的工作电源范围为15V)更高的 UCC27525。
这些驱动程序没有死区时间功能、因此您必须在控制器上从外部实现该功能。
此外、我不确定您所需的响应时间是多少(来自驱动器+ FET)、但100欧姆的串联栅极电阻 R21和 R28将显著降低 FET 的导通/关断。 您可能需要调整该值以控制 FET 栅极的上升/下降时间。 下面的链接讨论了如何实现这一点。
如果您有其他问题、请告知我们、如果您的问题得到解决、请按绿色按钮。
此致、
-Mamadou
