大家好、
我正在为高速器件设计一个参考设计板、并希望使用 TPS7A84A 来提供电源轨。 我将从实验室电源获取3.3V 电压、并为我的器件提供2个电源轨。 根据所加载的 DUT、电源轨需要分别为2.5V/2.5V 或1.2V/1.8V、因此我选择使用 ANE-OUT feature.e2e.ti.com/.../DS560ARXXX_5F00_HCB_5F00_LDO.pdf 实现这种灵活性
我曾将 TPS7A84EVM 作为参考、但可以使用一些专家帮助来仔细检查在进入布局之前是否错过了任何内容。
您能否查看随附的原理图？
谢谢、
Michael
您好、Michael、
总体设计看起来不错。
未显示其他原理图、但请确保在每个数字 IC 的 Vdd 至 RTN 之间添加局部去耦电容器。
为了防止 EMI、您应该在第2层 LDO 电路正下方具有线性稳压器的 GND。
您可以使用 Altium 对最终布局运行配电网络分析、在完成分析后查看稳态 IR 压降和电流密度。
如果您的原理图中有任何我要修改的内容、那就是增加47uF 电容器上的额定电压。
数据表假定电容器的电压降额为50%(请参阅第8.1.1节)。
您的电压偏置将是3.3V (输入)和2.5V (输出)、不包括容差。
我不清楚数据表的意图是降低施加的电压与额定值(4V 器件上的最大电压为2V)、还是查看制造商的实际电容损耗规格。
在任何情况下、施加2.5V 或3.3V 电压时、我们会根据 Murata 网站的信息损失超过初始电容的50%。
我在 Murata 网站上查看了几个选项、这是47uF 电容器的制造商。
其他制造商可能会提供相应的选项、但我只查看了 Murata 的网站、因为他们是您最初在设计中选择的电容器。
目前在0805尺寸封装中没有更好的选择。
如果您从 Murata 选择1206尺寸的封装、则47uF、6.3V 额定值具有符合这些数据表建议的有利曲线。
以下是 GRM31CR60J476ME19K 的曲线。
我还查看了 Altium Vault、看起来该组件已经位于设计数据库中。
谢谢、
斯蒂芬
