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[参考译文] CSD15571Q2：CSD15571Q2 RDS 关闭

admin
Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD15571Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/822335/csd15571q2-csd15571q2-rds-off

器件型号：CSD15571Q2

关于晶体管(CSD15571Q2)、RDS (OFF)如何？它有多高？  由于我们将此器件用作开关、因此我们不仅希望 RDS ON 非常低、而且 RDS OFF 也非常高、请提供有关 RDS OFF 的信息。

 *控制此晶体管的 Vfloat 是数字信号(最大3.3V，最小0V)。   

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    TI__Guru**** 2378650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Luis、

    感谢您关注 TI MOSFET。 我们不会在数据表中对 RDS (off)进行规格说明。 但是、我们确实规范了泄漏电流、当 VGS = 0V、VDS = 20V 且 Tamb= 25C 时、IDSS < 1uA。 不过、我在数据表中发现了一个错误。 它应该是 VDS = 16V。 使用此规格、我们可以计算出 RDS (off)= 16V/1uA = 16Mohm (最小值)。 IDSS 随 FET 温度的升高而增加。 在125C 下、表征期间测量的最大 IDSS 约为1.7mA。 TI 仅在25°C 的量产温度下测试 IDSS、我们无法保证温度升高时的最大值。 但是、您应该能够使用它来适当调整电阻器值的大小。