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器件型号：LM66100 也许我缺少一些东西、但我认为当 CE 被拉至高于 Vout 时、该器件应该运行为禁用的 P 沟道 MOSFET。 但是、在测试这种情况时、我仍然会在满足这些条件时看到正向电流、这不是 P 沟道 MOSFET 的行为方式。
接线：
VIN = 3.3V
CE = 5V
ST = GND
Vout =连接到3k Ω 负载与 GND
通过测量负载上的压降可得到2.8V 电压、这意味着仍有较大的正向电流流动。 我已在多个 lm66100上重复此测试、结果一致。 这是芯片的预期行为吗？ 它是否真正仅在处于关断状态时保护不受反向电流的影响？
