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[参考译文] TPS92518HV:计算不同开关频率/电压/电流的功率耗散

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92518HV, TPS92518
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/821565/tps92518hv-calculating-power-dissipation-with-different-switching-frequency-voltages-currents

器件型号:TPS92518HV
主题中讨论的其他器件: TPS92518

您好!

我有一位客户希望计算 TPS92518HV 在不同开关频率、电压和电流下的功率耗散。 在数据表和 GUI 设计工具中、我看不到任何用于计算功率耗散的东西。 我只能看到封装热性能信息。

有什么建议吗?

谢谢、
Nick

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    您好、Nick、

    如果我知道他们在做什么、可能会更容易。

    我将列出一些要总结的主要内容:

    IIN (非开关)、3mA (典型值)、将其乘以输入电压以获得直流偏置功率损耗、例如、Vin = 50V、Pdiss = 150mW

    如果 VCC 或 Vref 具有任何额外负载、则 Vin 线性稳压会生成该负载。  两者的任何电流消耗都需要乘以 Vin 以 TPS92518功率耗散

    TPS92518栅极驱动。  这也是从 Vin 生成的。  对于导通、它基本上是上拉至 VCC、但 VCC 是从 Vin 生成的。  对于关断、它被拉至接地。  开关的功率耗散约为所用 MOSFET 的 Qgate (tot)乘以 Vin 乘以开关频率。  例如、当输入电压为50V =(20nC)*(400KHz)*(50V)= 400mW 时、400KHz 时的总栅极电荷开关为20nC。  这适用于一个通道。  如果两个器件都在运行、则功耗可翻倍至800mW。

    影响功率耗散的最大因素很可能是 TPS92518的栅极驱动。

    此致、

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    谢谢。 我想我们可以根据您发送的内容来确定功耗和热耗散。

    该转换器效率值与 LEDx_toff_DAC 寄存器值成反比。 效率的微小变化会显著影响寄存器值。

    问题是:我不知道效率会是多少。 我知道、当92518上的电压降较低时、它会更高、当您接近饱和时、它会接近1.0。 但是、为了使转换器保持在安全的工作频率、我需要知道该值。 我猜工程师通常会在他的应用中进行测试、确定效率并调整 TOFF_DAC 以获得所需的频率/纹波。 但这对我不起作用、因为我们的输出可以驱动12 VDC 至54 VDC 的任何位置。

    我们是否有关于确定效率的建议?

    谢谢、
    Nick

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    您好、Nick、

    要确定效率、需要计算所有损耗。  其主要部分是 TPS92518的损耗(如上所述、来自 Vin 的线性电压、IC 偏置和栅极驱动)、MOSFET 的 Rdson 损耗、续流二极管损耗、开关损耗、 电感器磁芯损耗和导通损耗以及系统中的任何其他交流和直流损耗(例如、电容器可能具有交流损耗)。

    在连续导通模式和类似开关频率下的固定工作电流条件下、开关损耗应保持一定的恒定。  占空比将改变 MOSFET 的传导损耗(随着输出电压降低而下降)和续流二极管的导通时间损耗(当 Vout 降低时上升)。  由于许多损耗是固定的、并且输出功率降低、因此效率下降。

    在较高的开关频率下、开关损耗可能(很可能)开始占主导地位。  为您的应用选择正确的 MOSFET 非常重要。  为了优化 MOSFET、低频设计与高频设计将有所不同、电感器和电感器值也是如此。

    更简单的方法是测量不同工作点的效率。

    我将在今天(供参考)之后休长期假、因此其他人也会选择此项。

    此致、