[参考译文] UCC21520：驱动功能：外部组件：自举二极管、VDDA 和 VDDB 电容器、Ron 电阻器

您好、Haggai、

通常、栅极电阻器的大小应限制栅极上的高频振铃。 集电极到发射极波形的上升和下降时间并不完全取决于栅极到发射极波形的速度。 我可能建议保持一些栅极电阻、至少对于导通路径而言是如此。 您能否分享您的 IGBT 器件型号、以便我快速了解一下？

您提出的在电源之后使用 LDO 来降低 VDD-VSS 电压的解决方案是可以接受的。 +16V 和-9V 应该是良好的、只要它们变化不大并且违反了 ABS。 最大

在更新中、有关其中一个驱动程序损坏的信息：

哪个通道损坏？ 它是否仍然具有来自 VDD-VSS 的32V 电压？ 如果它仍然具有该电压、则预计会损坏、因为输出级在内部仅具有30V FET。 您需要降低 VDD-VSS 电压并在执行任何其他测试之前更换该器件。

驱动器不应单独受到大峰值电流的损坏。 输出结构根据内部 FET 的饱和特性来限制输出电流、并且只要它们驱动电容负载并保持在器件的功率耗散限值内、就不应损坏输出结构。

谢谢、此致、

John

尊敬的 John：

感谢您的回复。

10欧姆会缓慢打开 IGBT -有些  

我使用了 incorotech 的 V23990-P820-F10-PM (历史决策... 不是我的:-))

你(们)好

(消息在完成前已发送...)

我想再次指出、使用10R 电阻器时、开关导通大约需要140nS 才能达到阈值开关电压、并且需要更多的时间才能使 IGBT 完全达到饱和...  

我将尝试 LDO 解决方案、但还可以... /-15电源减去我的5V LDO 将我的电压提升至25V。 不过、从电源获取32V 的电压很常见、因此我的电压为27V、而采用此解决方案... 有多糟糕？ (我尝试寻找具有相同占用空间的8或9伏 LDO、目前没有成功...)

此致、

Haggai

您好、Haggai、

从该特定 IGBT 模块的数据表中可以看出、它们建议 Rgoff 和 Rgon 使用4欧姆电阻。 我确实看到了您的观点、即使用10欧姆栅极电阻进行开关需要一段时间、但与整个周期/频率(125uS/8kHz)相比、这仍然是一个相当快的上升时间。 考虑到这种开关频率、我认为开关损耗仍然很小。 在使用负载进行开关时、您是否有任何显示集电极到发射极电压的波形？

该转换器的拓扑是什么？

当工作电压高于建议的最大值25V 时、我们不保证电气特性和开关特性表中的规格。 在推荐最大值和最大绝对值之间工作不会造成损坏，但我们不建议这样做。 根据您的布局和负载、您可能能够使用较低的负电压、这可能会使您的 LDO 搜索更容易一些。

请阅读以下文档、详细了解如何解读这些规格。

http://www.ti.com/lit/an/szza036c/szza036c.pdf

谢谢、此致、

John

你(们)好

我对 IGBT 缓慢"打开"的担心与周期的总时间无关。

当 IGBT 处于"半开"状态时、我更担心去尘。 我很担心在截止和饱和状态之间的转换时间浪费的能量会导致 IGBT 升温。 你说什么？

我目前没有 VCE 波形

您的问题："此转换器的拓扑是什么？"  

我使用 IGBT 驱动电机(不是"Delta"或"star")

此致

Haggai