[参考译文] TPS23756：Q1 (Si7119DN)被烧坏

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/821030/tps23756-q1-si7119dn-was-burned

器件型号：TPS23756

大家好、谁能提供帮助、

我的 POE 原理图可在上一篇文章中找到：

https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/811015/3002427#3002427

它正在工作、但昨天我遇到了一个问题。 P 沟道 MOSFET 在上电后的10分钟内烧坏。

开始时、我将 POE 连接到负载(大约1.5A~2A、5V)、并使用热像仪监控热点。一切正常；Q2 (Si7852DP)约为55~60 C、Q4 (Si7456DP)约为45~50 C。未找到其它高温点。

但在跑了10分钟后、Q1 (Si7119DN)突然烟熏并烧坏了。该芯片不是热点之一。 C2 (0.047uF、250V、1206)未通过万用表测试损坏。

请告诉您造成这种情况的潜在原因是什么？如果 Q1的栅极引脚与源极引脚短路(就像这样)、这会导致问题吗？

此致、

Kevin

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2528530 points

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Kevin、

很抱歉、您的帖子回复出现短暂延迟。请立即从我们的 PD 应用工程师处获得答案。

谢谢、

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2528530 points

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谢谢 Thomas、

我们有几个板、除了烧坏的板外、所有板都工作正常。即使对于被烧坏的芯片、在我们更换了上面提到的被烧芯片(Si7119DN)和电容器(0.047uF 250V)后、电路板仍能正常工作3小时。

对我来说、我只是想知道潜在的问题、并尝试在我们的产品中避免这种问题。如果这仅仅是由有缺陷的单芯片/电容器引起的、那么我们就不再担心了。

Bests、

Kevin

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2528530 points

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尊敬的 Kevin：

原理图看起来稳定(与我们的 EVM 相同)。 PCB 上的任何组件是否发生了变化？在测试探测、负载测试、触摸电路板、执行关断等操作时、是否发生了损坏？否则、它可能会因 ESD 而损坏(或者 FET 在 ESD 上比之前的测试更弱/更弱)、从而在正常运行期间损坏。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2528530 points

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或者、您可以测量 PFET 的 VGS 和 VDS、以查看在正常运行中是否存在高于 FET 绝对最大额定值的重复性大尖峰。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2528530 points

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您好、达尔文、

感谢您的回答。 MOSFET 在正常负载下正常自由运行期间烧坏、而不是在任何其他(探测、触摸、关断等)操作期间烧坏。

现在、对于电路板(持续运行大约7小时、仍然正常)、没有观察到(重复)异常尖峰。

看上去、希望这只是芯片的运气差。

再次感谢大家、祝您愉快。

此致、

Kevin

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[参考译文] TPS23756：Q1 (Si7119DN)被烧坏