您好!
TPS7B6950QDBVRQ1、输入短路测试(VinGND)、IC 断开、无输出5V、原因是什么? 什么是良好的改进措施
IC 经过多次测试、每次都损坏。
输入 电容为10uF、输出电容为20uF、
当输出 电容更改为4.7uF 以上4.7uF 时、在输入短路测试中不会损坏 IC、
实际测试发现,当输入短路时,输出电流会回流到输入,如 FIG2、CHI1。
谢谢!
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TPS7B6950QDBVRQ1、输入短路测试(VinGND)、IC 断开、无输出5V、原因是什么? 什么是良好的改进措施
IC 经过多次测试、每次都损坏。
输入 电容为10uF、输出电容为20uF、
当输出 电容更改为4.7uF 以上4.7uF 时、在输入短路测试中不会损坏 IC、
实际测试发现,当输入短路时,输出电流会回流到输入,如 FIG2、CHI1。
谢谢!
Neal、您好!
肖特基二极管短接到 RTN 时、阳极连接到 RTN、阴极连接到 LDO 的 Vin。
因此、肖特基二极管反向偏置、不再对 LDO 的输入提供反向保护。
在这种情况下、输出电容器的值比输入电容器大2倍、充当大型电荷库。
电流从输出电容器流经导通 MOSFET 上的内部体二极管流入输入电容器。
这不是线性稳压器设计可承受的工作模式。
因此、当有足够的电流(电荷)从输出端流向输入端时、内部 MOSFET 很可能会损坏。
通过减少输出电容器、您已经减少了从输出到输入的电荷量。
我认为这不是一个非常可靠的设计解决方案、因为它可能会有潜在的故障。
我建议在 LDO 的输出和输入之间放置一个并联肖特基二极管。
只要这种新的肖特基二极管的导通阈值低于内部体二极管、电流就会流过该二极管。
保护 MOSFET 免受损坏的保护措施。
谢谢、
斯蒂芬