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[参考译文] TPS7B69-Q1:输入短路测试,IC 损坏,无输出5V

Guru**** 1135610 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/853898/tps7b69-q1-input-short-circuit-test-ic-is-broken-no-output-5v

器件型号:TPS7B69-Q1

您好!

TPS7B6950QDBVRQ1、输入短路测试(VinGND)、IC 断开、无输出5V、原因是什么? 什么是良好的改进措施

IC 经过多次测试、每次都损坏。

 输入 电容为10uF、输出电容为20uF、

当输出 电容更改为4.7uF 以上4.7uF 时、在输入短路测试中不会损坏 IC、

实际测试发现,当输入短路时,输出电流会回流到输入,如 FIG2、CHI1。

谢谢!

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    Neal、您好!  

    我怀疑这是所用二极管的反向恢复时间。 例如、典型的1N4007反向恢复时间可能高达30us、而类似1N4148的恢复时间仅约为8ns。

    您能否分享正在使用哪个二极管来确认这一点?

    此致、

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    尊敬的 John:

     它是肖特基二极管、而不是二极管。

    谢谢!

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    Neal、您好!

    肖特基二极管短接到 RTN 时、阳极连接到 RTN、阴极连接到 LDO 的 Vin。

    因此、肖特基二极管反向偏置、不再对 LDO 的输入提供反向保护。
    在这种情况下、输出电容器的值比输入电容器大2倍、充当大型电荷库。

    电流从输出电容器流经导通 MOSFET 上的内部体二极管流入输入电容器。
    这不是线性稳压器设计可承受的工作模式。
    因此、当有足够的电流(电荷)从输出端流向输入端时、内部 MOSFET 很可能会损坏。

    通过减少输出电容器、您已经减少了从输出到输入的电荷量。
    我认为这不是一个非常可靠的设计解决方案、因为它可能会有潜在的故障。

    我建议在 LDO 的输出和输入之间放置一个并联肖特基二极管。
    只要这种新的肖特基二极管的导通阈值低于内部体二极管、电流就会流过该二极管。
    保护 MOSFET 免受损坏的保护措施。

    谢谢、

    斯蒂芬