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[参考译文] LM5060-Q1：如何实现 LM5060控制的4个 MOSFET？ 是否有参考设计？

admin
Guru**** 2512865 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060, LM5060-Q1, TPS24772EVM-685

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/852942/lm5060-q1-how-to-implement-it-the-lm5060-controlled-4-mosfets-is-there-reference-design

器件型号：LM5060-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5060、 TPS24772EVM-685

您好！

我们的条件是在高电流输出应用中、LM5060控制的4个 MOSFET 是并联的、使用的封装为 TO263。

我可以在 LM5060的 EVM 中找到一个 MOSFET 的示例、但如何在 MOSFET 并联条件下进行布局布线？

或者、如果有适用于 LM5060-Q1且使用"并联 MOSFET"的参考设计可能对我们来说很好。

此外、MOSFET 字体端是电流粗化 分流电阻器(4个 x 2512尺寸)、对于该结构而言、什么位置是合适的？ 还是仅使用一个分流电阻器更好？

感谢你的帮助。


非常感谢、

Lewis

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、 Lewis、

    感谢您的联系。

    我将在星期一再次讨论这一问题。

    BR、Rakesh

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、 Lewis、

    使用 LM5060-Q1时、由于没有电流关断电阻器、因此可以稍微轻松地进行并联 FET 布局。

    请参阅以下报告、如果您有其他问题、请告知我。

    http://www.ti.com/lit/ug/slvuag2/slvuag2.pdf

    http://www.ti.com/lit/ug/snva464c/snva464c.pdf

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2014/10/30/choosing-the-right-sense-resistor-layout

    BR、Rakesh

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、


    非常感谢您的回复。 它对我很有帮助。

    因此、如果我使用了电流分流电阻器、我还可以参阅选择合适的感应电阻器布局和 TPS24772EVM-685用户指南中的文章以获取参考指南吗？ 对于布局和布局设计、其原理应相同。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2014/10/30/choosing-the-right-sense-resistor-layout

    http://www.ti.com/lit/ug/slvuag2/slvuag2.pdf


    非常感谢、
    Lewis

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    正确。  Lewis。

    您的应用用例是什么？ 最终产品？ 保护要求？ 和系统规格？

    BR、Rakesh

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
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    您好、Rakesh、

    感谢您的反馈。

    我知道、它用于汽车的计算系统、 因此要求需要提供 OC/OV 保护。

    抱歉、有更多问题。

    我想 的是 MOSFET 前端与电流感应电阻器的配置差异。

    例如

    配置 电流感应电阻器使用4个电阻器、MOSFET 使用4个电阻器、更容易使 MOSFET 的分流电阻器在同一层上保持整齐和对称。

    =>通过 MOSFET 的功率电流可能会更加平均、感应电阻器可能需要更多地注意布局以确保精度。

    配置 2. 使用1个感应电阻器(如果额定功率足够的话)和4个 MOSFET、在同一层上进行合理的布局和布局似乎更困难。

    =>流经 MOSFET 的电流可能比 CONFIG.1具有更高的容差、但是、由于只有1个分流电阻器、感应更容易实现。


    总体考虑而言、看起来像配置。 1可能更好、因为与 CONFIG 相比、由于布线阻抗的影响更小、MOSFET 会更安全。 2.


    你怎么看？

    非常感谢、

    Lewis

  • 0
    TI__Guru**** 2512865 points
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    你好、Lewis、

    是的、配置1更适合在 MOSFET 之间实现均匀的电流分配。 它还有助于在多个感应电阻器上分配热耗散。  

    使用4个分流电阻器并将所有这些电阻器连接到输入和输出端。 关注开尔文感应... 有关  双电阻器示例、请参阅 www.ti.com/.../snva464c.pdf 中的图24。

    BR、Rakesh

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    TI__Guru**** 2512865 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、

    得到了它、非常感谢您的支持。

    非常感谢、

    Lewis