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[参考译文] TPS715A:技术详细信息

Guru**** 1490375 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/853168/tps715a-technical-details

器件型号:TPS715A
  1. 低侧 FET (漏电零控制电路)可以吸收多少电流? 是否存在电流限制或饱和水平?

使用未加密的 PSpice 模型、当 VIN > VOUT 且外部源将电流驱动到 VOUT 节点时、IOUT 为负(电流流入 OUT 引脚)、I_IN 也为负(电流从 IN 引脚流出)。 它是正确的行为吗? 怎么可能?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ding、  

    正如数据表建议的那样、对于从输出到输入的反向电流、没有内部电流限制。  

    使用未加密的 PSpice 模型、当 VIN > VOUT 且外部源将电流驱动到 VOUT 节点时、IOUT 为负(电流流入 OUT 引脚)、I_IN 也为负(电流从 IN 引脚流出)。 它是正确的行为吗? 怎么可能?   

    仿真器通常在器件正常使用期间提供典型性能。 您通过使电压源高于输出电压来设置它的方式可能未正确建模。 当您在3.3V 输出端使用5V 电压源时、可能会有电流流入 LDO 的输出端。 但是、如果 Vin 为10V、则不应看到负 I_out。  

    如果可能、我强烈建议您为此器件获取一个 EVM 来评估性能。  

    此致、  
    Jason Song