[参考译文] CSD16570Q5B：为什么 CSD16570Q5B 不是为开关应用而设计的？

您好、Ocean、

感谢您关注 TI MOSFET。 CSD16570Q5B 针对热插拔和 OR'ing 应用进行了优化、在这些应用中、器件会导通并长时间保持导通状态、以便向下游负载(通常为直流/直流转换器)传导大电流。 因此、该器件旨在实现最低的 RDS (on)、从而更大限度地减少传导损耗。 不建议将其用于开关模式应用的原因有以下几个： 栅极电荷和电容非常大(VGS = 10V 时最大值为250nC)、因此难以高效驱动、并且 QGD：QGS 充电比大于1、这使得它易受同步降压转换器等半桥配置中 CDV/dt 感应导通的影响。 可能可以在您的低频开关应用中使用此 FET、但遗憾的是、我们没有有关其性能的数据。 TI 尚未在此类应用中测试 CSD1657Q5B。

您可以尝试其他器件、例如 CSD17573Q5B。 导通电阻更高、但更适合开关应用。 在任何情况 下、您的电路板都可以采用5x6mm SON 封装、您可以测试多个器件、例如 CSD17573Q5B 和 CSD16570Q5B、以了解它们在您的应用中的表现。