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[参考译文] BQ40Z60:电池泄漏放电

Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z60

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/819965/bq40z60-battery-leakage-discharge

器件型号:BQ40Z60

您好!

我已经制作了一个3S BMS 板(模仿 bq40z60 EVM 板、所有器件都相同)并使用良好。  最近我注意到、放电在 CUV 阈值处停止后、3S 电池组电压每天都会下降33.7mV;每个电池电压均匀下降。 (主板导致此问题。 未连接的电池电压几乎始终保持不变。) 在这个速度下、我担心在一个月后电池组将永久无法运行。   

我怀疑漏电路径如下(DSG FET 符号不正确);pack (+)-> CHG FET 二极管正向-> DSG FET 二极管反向漏电-->降压低侧 FET 二极管反向漏电--> GND & pack (-)

这种情况是否可行?

谢谢、

Joshua Kim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    不、这种情况不太可能发生。 原因是即使 DSG 和 CHG FET 体二极管泄漏电流较高、适配器路径也会具有非常高的阻抗。 在张弛条件下测试该 Q9栅极电流的简单方法。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Batt:

    感谢您给出的清晰答案。

    此致、

    Joshua Kim