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[参考译文] TPS43061:死区时间和栅极电阻器

Guru**** 2393285 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS43061

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818327/tps43061-dead-time-and-gate-resistors

器件型号:TPS43061

我的客户担心更改 TPS43061的工作频率并可能违反 MOSFET 之间的死区时间。 您对此有什么意见吗? 您认为如果我们保持在器件的频率范围内、这是否会成为真正的问题? 如何向 MOSFET 的栅极添加电阻器? 您是否知道任何情况都是合理的?

谢谢!  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Lenio:

    感谢您发帖。  我认为开关频率不会影响大部分死区时间。  但是、栅极电阻器会产生影响。  对于 EMI 问题、可能需要使用小栅极电阻器来降低开关 di/dt 和 dv/dt 的速度。  您始终需要检查死区时间以确保不会发生击穿。

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi