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[参考译文] LM25088:反相降压/升压。 IC 在无负载时过热。

Guru**** 2379160 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25088, CSD18504Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818355/lm25088-inverting-buck-boost-ic-hot-without-load

器件型号:LM25088
主题中讨论的其他器件: CSD18504Q5A

我已经使用 LM25088-2构建了原型 PCB。 (+15V IN、-12V OUT)。
通过使用 Webench、我将其设计为能够输出高达3.5A 的电流

到目前为止、我仅连接了大约15-20mA 的小负载、并在输出端获得正确的电压。 然而、输入消耗的电流约为100mA、而 LM25088的散热焊盘变得非常热。 MOSFET 和二极管似乎不会产生热量、但很难辨别、因为它们有点热(我假设是从靠近芯片的位置开始)。

我的问题是:
这对于此配置是否正常? 我不是这个领域的专业人士、但这似乎很高、尤其是因为 MOSFET 和二极管是外部的

有什么想法我应该开始寻找? 在用热空气焊接时、我可能对有源组件施加过大的热量。

非常感谢您的帮助!

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    我忘记在上面的问题上附上原理图:

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    您好 Ben、

    功率 MOSFET 具有很高的容性(Vgs = 10V 且 Qgd = 13nC 时 Qg = 49nC)、从而产生高开关和栅极驱动损耗、这在轻负载时尤其明显。

    在给定3.5A 的额定输出电流的情况下、您可以使用具有更低栅极电荷的更高 Rdson FET、以实现导通损耗和开关损耗的更好平衡。 例如、考虑 CSD18504Q5A 40V NexFET、Qg = 15nC 且 Qgd = 2.4nC、这种封装尺寸也更小。

    此外、您还可以使用可从 LM25088产品文件夹下载的快速入门工具来检查组件选择。

    此致、

    Tim

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    只需再次查看原理图、我建议在靠近 FET 和二极管的位置添加一个输入电容器从 Vin 到-Vout。

    --

    Tim

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    您好、Timothy、

    感谢您的帮助! 我在这里还有其他几个 MOSFET、我将尝试它们。 由于我不完全理解数学原理,我只得到了一些在低 Rdson 和栅极电荷之间进行各种权衡的数学运算。  

    关于在靠近 FET 和二极管的位置添加从 Vin 到-Vout 的输入电容器”。 您是说我在原理图(CIO)右上角具有的1uF 电容器吗?

    它靠近 FET、但如果它未连接到二极管、您意味着如何将其靠近二极管?

    再次感谢。

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    好的、我看到您有 一个从 +15V 输入到-12V 输出的电容器-这是开关发生的地方(也称为"热"环路)。 包含该电容器可降低寄生环路电感、从而降低 SW 节点电压尖峰和振铃。

    将其靠近 MOSFET 的漏极和分流电阻器端子连接、以最大限度减小有效环路面积。