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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/818409/ucc24612-2-2kw-dcdc-high-side-synchronous-rectification
我们使用直流/直流输入全桥 LLC，输出规格为14V 150A，使用 高侧 同步整流 ，目前使用两个 UCC24612驱动器芯片进行高侧反激，单芯片驱动四个 MOS (单 MOS 管 Ciss 约10nF)，请帮助确认是否满意， 您还需要什么其他信息？
您好！
UCC24612可用于反激式的高侧 SR 驱动器。 然而、对于 LLC、从高侧驱动 LLC 没有好处、并且将需要为高侧上的 SR 使用额外的电路。 如果您要设计 LLC、我建议您设计低侧。
FET 驱动器只能提供4A 拉电流和灌电流。 因此、我不确定您是否可以使用 UCC24612来驱动 并联的 MOSFET。 根据 UCC24612、我相信您可以轻松驱动1。 它取决于开关频率(Fsw)和环境温度(TAMb)以及栅极损耗。
使用以下公式、您可以根据开关频率(FSW)估算栅极损耗。 请注意、UCC24612消耗了所有 Pgate。
IPEAK = Qg/TD (on)数据表，从数据表中，Qg = IPEAK * TD (on)=(10V/1.6 Ω)* 12ns=750nC
Pgate = Qg*VG*FSW
以下计算可用于计算 UCC24612可处理的最大栅极驱动功率(Pgate)。 请注意、RJA = 206.6摄氏度/瓦
TJ = Tamb + Pgate * RJA = 125度 C = Tamb+Pgate *(206.6度 C/W)
TJ-Tamb/RJA = Pgate (max)=(125度 C-Tamb)/206.2度 C)*W
您可能还会发现以下应用手册对计算 FET 损耗很有帮助。http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf
此致、
