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[参考译文] LM5116:未达到所需电压

Guru**** 1658350 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116, CSD19534Q5A, CSD19533Q5A, CSD19535KCS, LM5146-Q1
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/817184/lm5116-desired-voltage-is-not-reached

器件型号:LM5116
主题中讨论的其他器件: CSD19534Q5ACSD19533Q5ACSD19535KCSLM5146-Q1

您好!

我使用了一些 Web 工作台原理图、以帮助设计一个在电流为4A 时可提供30V - 90V 输入、低至24V 输出的降压控制器。

目前、我们无法使电路板以50V 输入输出24V 电压。 我已附上一些相关文件、包括原理图/PCB/示波器捕获。 空载输出电压大约为15V、当连接到一个汲取3A 电流的风扇时、电压下降至2.7V。

如果有任何帮助,将不胜感激。

此致、

Jordane2e.ti.com/.../29.0.3-Buck_2D00_Controller_2D00_SCHEM.pdfe2e.ti.com/.../29.0.3-Buck_2D00_Controller_2D00_BOARD.pdf

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    约旦、您好!

    请发送完整的快速入门计算器文件、以便我们可以查看组件选择、尤其是补偿。 您可以从 LM5116产品文件夹(在"设计和开发"下)下载该软件。

    需要了解以下内容:

    1. 输出电容 ESR 值(因为这会影响稳定性)
    2. 负载的阻抗特性
    3. 150V MOSFET 器件型号。

    以下是有关原理图的一些注释:

    1. 150V/5A 自举二极管被高估了。 100V/0.2A 二极管就足够了。
    2. 由于这是一个100V 控制器、因此适合使用100V MOSFET -考虑高侧的 CSD19534Q5A 和低侧的 CSD19533Q5A。
    3. 移除 D2/D3/C4、因为通常不需要该电路。
    4.  施加到 VCCX 的外部电源轨来自何处?

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    1. 我找不到输出电容器的 ESR 值。  EEE-1VA101XP 是制造商编号、我在 digi key 和 Panasonic 查看的数据表中没有列出 ESR。
    2. 负载是恒流负载、如果需要、我可以焊接在一起并制作一个功率电阻器负载组。
    3. BSC190N15NS3GATMA1用于高侧和低侧。
    4. VCCX 轨只是一个可选引脚、如果我们想以这种方式提供电压、我们决定包含该引脚。 目前、我们不为 VCCX 提供电压。 这是否意味着我们应该将跳线引脚短接在一起、以便 VCCX 绕过这些电容器并直接接地?
    5. 您可以将此 CSD19535Q5A 链接到我吗? 快速谷歌搜索不会链接到任何产品页面。  您是指 CSD19535KCS 吗?  

    感谢您提供额外的原理图注释。 我将考虑这些因素、并在下一个设计中实施这些更改。

    我从中创建原理图的 Web 工作台页面。  

    我已附上快速入门 Excel 工作表。 我尽量利用我的技能/知识来输入我们在董事会上使用的要求和价值观。 请注意、由于我们未包含陶瓷输出电容器、因此 Cout2为1uF。 UVLO 也不是绝对必需的、而是像在 Web 工作台设计中一样包含在其中。 如果还有其他需要更改的内容、请告知我们。

    此致、

    约旦

    e2e.ti.com/.../LM5116-Quickstart-Calculations.xls

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    约旦、您好!

    该 FET 应为 CSD19534Q5A -我 进行了编辑以更正 上述条目。

    查看 CAP 数据表、 它的额定纹波电流为132mArms、tan delta = 0.12。 更重要的是、由于阻抗(ESR)从25°C 增加到-40°C、因此它们实际上不适合电源输出应用。 我建议添加一些陶瓷电容来传导电感器的开关频率纹波电流并降低有效 ESR。 然后安装快速启动中建议的补偿值。

    您是否已获得现有的 FET 器件型号-我们应检查其米勒平坦区电压。

    PS:SS 电容器可以为100nF、斜升时间为12ms (目前为10nF、因此斜升时间非常快)。

    此致、

    Tim

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    这 是用于两个 FET 的器件型号 BSC190N15NS3GATMA1。

    此致、

    约旦

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    约旦、您好!

    米勒平坦区域非常高、为5.8V (请参阅 MOSFET 数据表的图16)、而385nC 的 Qrr 极高。 我建议使用 100V FET 进行测试、并使用 SW 到 GND 之间的 RC 缓冲器(例如10 Ω 和220pF)来管理任何前沿电压尖峰。

    此致、

    Tim

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    感谢 Tim 的建议! 我将尝试实施这些更改、希望下周在我组装新电路板后再与您进行合作。

    此致、

    约旦

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    听起来不错、Jordan。

    供参考 的是 LM5146-Q1 100V 电压模式控制器。 这是一个较新的器件、具有更好的死区时间/开关性能、无需分流电阻器、因此成本和尺寸更低。

    此致

    Tim

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    嗨、Tim!

    我一直在为 LM5146-Q1使用快速入门工具、并为您提出一些问题。 如何计算总输入电容(降额)、Cin 值?

    此致、

    约旦

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    Jordan、如果是陶瓷电容、只 需从电容器供应商的软件(例如 Murata Simsing 和 TDK seat)中找到降额因子(电压系数)。 它们通常提供电容与施加的直流电压之间的关系图。

    下面是 Murata 的链接:

    https://ds.murata.co.jp/simsurfing/index.html?lcid=en-us

    电解电容与电压保持大致恒定、但您需要知道其 ESR。

    --

    Tim