[参考译文] LM5066：设计审查

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Other Parts Discussed in Thread: LM5066, CSD19536KTT, CSD19532Q5B, LM25066, LM5066I

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173883/lm5066-design-review

器件型号：LM5066
主题中讨论的其他器件： CSD19536KTT、 CSD19532Q5B、 LM25066、

您好！

我的客户正在设计 LM5066。

请查看下面的客户设计。

e2e.ti.com/.../6433.LM5066.pdf

谢谢你。

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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感谢您的联系。请填写设计计算器并与我们分享。设计计算器可从 https://www.ti.com/lit/zip/snvu080获取。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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尊敬的 Avishek：

感谢你的帮助。

请参阅下面随附的设计计算器文件和 FET 数据表。

e2e.ti.com/.../LM5066-Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_B.xlsxe2e.ti.com/.../IRFH5110TRPBF.pdf

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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您好、JH、

IRFH5110PbF 没有热插拔设计所需的足够 SOA。我建议使用 PSMN4R8-100BSE 或 CSD19536KTT 或等效器件。请分享您的反馈。基于此、我将编辑设计计算器。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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尊敬的 Avishek：

客户将使用 CSD19532Q5B。

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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您好、JH、

请根据修改后的设计计算器和 EVM 原理图更新原理图。

AN-2160 LM5066评估板(修订版 A)

e2e.ti.com/.../LM5066-Design_5F00_Calculator_5F00_CSD19532Q5B.XLSX

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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尊敬的 Avishek：

根据您的指南、客户对 LM5066进行了以下设计更改。

e2e.ti.com/.../1128_5F00_LM5066_5F00_Review.pdf

请查看 LM5066原理图。

2.没有 CB 引脚、它们是否可以忽略以下内容？

3.打开以下选项以继续尝试设置是否正确？

4.将散热焊盘连接到 GND 是否正确？

谢谢你。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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您好、JH、

LM5066中没有"b"引脚。它位于 LM25066中。

我看不出原理图是按照 EVM 进行更新的。请正确遵循 EVM 并纠正您的原理图。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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[引用 userid="476414" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1173883/lm5066-design-review/4422048 #4422048"]我看不到原理图是根据 EVM 进行更新的。请正确遵循 EVM 并纠正您的原理图。 [/报价]

您好、 Avishek
感谢您的设计审查。
我是该项目设计师 Kt Youn。

如果您能告诉我哪一款器件与 EVM 不同、我将不胜感激。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2384370 points

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你好，Ki Tae Youn，

请参阅以下回答。

1) 1)在 UVLO_EN 和 OVLO 引脚上连接1000pF 陶瓷电容器。

2) 2) AGND 和 GND 连接应连接在器件的引脚上。 LM5066I 周围各种组件的接地连接应直接连接到另一个组件，并连接到 LM5066的 GND 和 AGND 引脚连接，然后在一个点连接到系统接地。请勿通过大电流接地线将各种元件接地端相互连接。

3) 3) µF 建议在靠近热插拔 MOSFET 源极的位置放置一个1 μ F 陶瓷电容器。这减少了 VIN_K 和 SENSE 所见的共模。可能需要额外的滤波以避免干扰性跳闸。 µF 建议在靠近 RSNS 的位置放置一个0.1 μ F 陶瓷电容器以接地。

4) 4)在热插拔栅极和 MOSFET 栅极之间放置一个10欧姆的串联栅极电阻。

电源管理（参考译文帖）

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