主题中讨论的其他器件:LMG3410EVM-018
大家好、
客户尝试将 GaN FET 用作 H 桥逆变器上的开关元件 、以替代 IGBT。
由于它是 H 桥、因此必须将体二极管用作自由轮二极管。 如果此类系统使用 GaN、则需要在外部放置 FWD?
此致、
Hayashi
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大家好、
客户尝试将 GaN FET 用作 H 桥逆变器上的开关元件 、以替代 IGBT。
由于它是 H 桥、因此必须将体二极管用作自由轮二极管。 如果此类系统使用 GaN、则需要在外部放置 FWD?
此致、
Hayashi
您好!
当 LMG341x 器件用作同步整流器时、其运行方式与普通二极管或硅 FET 不同。 两个 FET 都不会关断、而是底部 FET 导通、充当续流电流的二极管。 电流与器件一起从源极流向漏极流经底部 GaN FET 通道、从而减少损耗、因为在本例中、底部 FET 的功率损耗仅为 I^2*R、其中 R 是 FET 的 Rdson (非常小)。
如果您需要、我可以进一步解释、请告诉我。
扎赫