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器件型号：CSD87503Q3E 主题中讨论的其他器件： UCC27624
大家好、
我想设计一个开关电路、开关应确保 上升时间与 下降 时间相同。 但请查看大量 NMOS 数据表。 上升时间和下降时间的值是完全不同的。
由于 MOS 的导通 和关断过程都与 Ciss 的充电时间有关、 为什么上升时间和下降时间有如此大的差异呢。
谢谢！
Zhiyao
大家好、
我想设计一个开关电路、开关应确保 上升时间与 下降 时间相同。 但请查看大量 NMOS 数据表。 上升时间和下降时间的值是完全不同的。
由于 MOS 的导通 和关断过程都与 Ciss 的充电时间有关、 为什么上升时间和下降时间有如此大的差异呢。
谢谢！
Zhiyao
Zhiyao 您好、
感谢您关注 TI FET。 MOSFET 数据表中的典型开关时间并不总是表明在高度依赖于外部栅极驱动电路和 PCB 布局的应用中的实际性能。 我们提供了有关如何计算开关时间的文献。
下面的等式给出了估算上升和下降时间的常用方法：
下面链接中的示例更复杂、其中考虑了共源电感以及该电感如何影响 FET 的开关速度。
https://www.ti.com/lit/an/slpa009a/slpa009a.pdf
以下链接说明了 TI 如何测试 FET 数据表中的开关参数并对其进行规格。
请告诉我是否可以提供进一步的帮助。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
尊敬的 John：
很抱歉、我很晚才回复您、根据您提供的公式、我尝试计算 CSD87503Q3E 的上升时间。
根据数据表、
计算值为3.8ns、远低于数据表中给出的40ns。 还有没有考虑到任何其他因素。
此致、
Zhiyao